[实用新型]一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置无效
| 申请号: | 01255190.2 | 申请日: | 2001-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN2509711Y | 公开(公告)日: | 2002-09-04 |
| 发明(设计)人: | 王正官 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 红外 平面 器件 电极 熔融 处理 装置 | ||
1.一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置,包括:加热块(3)、样品架(5)、卤素灯(7)、盖子(2)、保温层(4)、显微镜(1)和温控仪(10),其特征在于:
加热块(3)是一块导热性相当好的圆柱形金属块,其轴线方向上端中央呈腔体状(301)、下端中央有一圆柱孔(302);
上端中央腔体(301)内置有样品架(5),待处理的样品(6)置于样品架内,在腔体(301)的底部边上有一输气管道(8),腔体内侧面置有温度传感器(9),温度传感器通过导线与外界温控仪(10)连接;
下端中央圆柱孔(302)内置有卤素灯(7),加载在卤素灯上的电压由温控仪(10)控制;
在腔体上面盖有带透明玻璃窗口(201)的盖子(2),盖子侧面有一使腔体维持流动氢气下的排气嘴(202);
盖子窗口上置有观察样品的显微镜(1)
加热块外裹有保温层(11)。
2.根据权利要求1一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置,其特征在于:所说的加热块(3)轴线方向上端外部有一小台阶(304),盖子(3与小台阶外圆呈松动配合。
3.根据权利要求1一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置,其特征在于:所说的腔体(301)底部有一个为样品架定位用呈45度斜坡的圆圈303。
4.根据权利要求1一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置,其特征在于:所说的加热块(3)由紫铜材料制成。
5.根据权利要求1一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置,其特征在于:所说的样品架(5)呈花篮状,圆盆状的篮底(501)两侧垂直伸起两个窄长手柄(502),与腔体(301)底部相接触的篮底(501)底面要求平正。
6.根据权利要求1一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置,其特征在于:所说的加热块(3)外裹有保温层(4),保温层由上框(401)、下框(402)、外框(403)组成的框架裹住。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01255190.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:涡壳轴流水轮发电机
- 下一篇:用于屏蔽室的超宽带截止波导通风箱
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





