[发明专利]内金属介电层的整合制造方法无效

专利信息
申请号: 01144731.1 申请日: 2001-12-24
公开(公告)号: CN1428836A 公开(公告)日: 2003-07-09
发明(设计)人: 徐震球;钟振辉;林义雄 申请(专利权)人: 矽统科技股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/3105;H01L21/302;H01L21/28
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 刘朝华
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种内金属介电层的整合制造方法,包括提供一形成有多数个导电堆迭层的基底,每一导电堆迭层是由第一金属层和具有多层结构的抗反射层所组成;使用高密度电浆沉积法,形成第一绝缘层于基底之上,第一绝缘层的厚度只需达到填满导电堆迭层间的间隙即可;形成平坦层于第一绝缘层之上,平坦层及第一绝缘层则构成一内金属介电层;形成多数个介层洞于内金属介电层及导电堆迭层之中;顺应性地形成具有一至多层结构的阻障层于导电堆迭层上以及介层洞的侧壁上;形成插栓于介层洞中;完成后续金属化制程。提供业界人士一种能够稳定运作的制造流程,以减少业界人士自行整合各个制造程序所耗费的心力及错误,具有提升整体、实质的生产效率的功效。
搜索关键词: 金属 介电层 整合 制造 方法
【主权项】:
1、一种内金属介电层的整合制造方法,其特征是:它包括如下步骤:(1)提供一形成有多数个导电维迭层的基底,每一导电堆迭层是由第一金属层和具有多层结构的抗反射层所组成;(2)使用高密度电浆沉积法,形成第一绝缘层于该基底之上,该第一绝缘层的厚度只需达到填满该等导电堆迭层间的间隙即可;(3)形成一平坦层于该第一绝缘层之上,该平坦层及该第一绝缘层则构成一内金属介电层;(4)形成多数个介层洞于该内金属介电层及该等导电堆迭层之中;(5)顺应性地形成具有一至多层结构的阻障层于该等导电堆迭层上以及该介层洞的侧壁上;(6)形成插栓于该等介层洞中;(7)完成后续金属化制程。
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