[发明专利]制作非挥发性存储元件的方法

摘要

一种制作非挥发性存储元件的方法，包括：提供一底材，具有第一介电层、导体层及第三介电层；转移埋藏扩散区图案于第二介电层与第一导体层；形成并回蚀刻第三介电层以形成间隙壁；离子布植以形成埋藏扩散区於底材内；形成并回蚀刻第二导体层；氧化第二导体层表面；移除第二介电层；形成第三导体层于底材、第四导体层于第三导体层上；形成第四介电层于第四导体层上；转移字符线图案于第四介电层、第四导体层与第三导体层；形成第五介电层於底材上、第六介电层於第五介电层上；回蚀刻第六介电层；形成第七介电层於底材上以及形成接触洞于第七介电层与氧化物层。此方法使制作空间增加并防止接触窗蚀刻所造成的问题与元件失效。

主权项

1.一种制作非挥发性存储元件的方法，其特征在于至少包括：提供一底材，该底材上有一第一介电层、一第一导体层於该第一介电层上及一第三介电层於该第一导体层上；转移一埋藏扩散区图案进入该第二介电层与该第一导体层以曝露出该第一介电层并形成数条导线；形成一第三介电层覆盖该底材；回蚀刻该第三介电层以曝露出该底材与该第二介电层并形成间隙壁邻接於该导线的侧壁；执行一离子布植步骤以形成埋藏扩散区於该底材内；形成一第二导体层于该底材上；回蚀刻该第二导体层使其高度低于间隙壁；氧化该第二导体层表面以形成一氧化物层；移除该第二介电层；形成一第三导体层于该底材上；形成一第四导体层于该第三导体层上；形成一第四介电层于该第四导体层上；转移一字符线图案进入该第四介电层、该第四导体层与该第三导体层以暴露出该氧化物层，该字符线图案包含数条约与该导线垂直的字元线；形成一第五介电层於该底材上；形成一第六介电层於该第五介电层上；回蚀刻该第六介电层以暴露出该第五介电层；形成一第七介电层於该底材上；以及形成接触洞进入该第七介电层与该氧化物层以暴露出该导线。