[发明专利]SOI晶片的制造方法无效

申请号：	01141755.2	申请日：	2001-09-17
公开（公告）号：	CN1366331A	公开（公告）日：	2002-08-28
发明（设计）人：	权龙范;李钟玄	申请（专利权）人：	株式会社COMTECS;权龙范;李钟玄
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00
代理公司：	沈阳市科威专利代理有限责任公司	代理人：	王勇
地址：	韩国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明公开了一种SOI(绝缘膜上硅)晶片的制造方法,工艺(100)备好具有设计厚度的硅晶片(SW);工艺(110)在硅晶片(SW)表面上利用ALE工艺或ALCVD,ALD,ASCVD,ALVCD等的工艺形成绝缘层;工艺(120)把形成有氧化铝(Al2O3)(AL)绝缘膜层的硅晶片(SW)和另一个硅晶片(SW2),用多种方法去进行粘接;工艺(130)将对粘接好的硅晶片(SW,SW2),以多种方法去进行切削加工;工艺(140)将对已被切削加工的硅晶片粘接体(SW,SW2)的表面进行抛光。上述的绝缘膜层材料,除氧化铝(Al2O3)(AL)之外,还用二氧化钛(TiO2)和氧化钽(Ta2O3);粘接工艺(120)也许是一种单向粘接方法;硅晶片(SW,SW2)也可能用SmartCut方法来进行切削加工。
搜索关键词：	soi 晶片制造方法
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【主权项】：

1、一种SOI晶片的制造方法，其工艺特征是：工艺(100)：在该工艺中备好具有设计厚度的硅晶片(SW)；工艺(110)：在备好的硅晶片(SW)上利用ALE工艺或ALCVD，ALD，ASCVD，ALVCD等工艺去形成氧化铝绝缘膜层(Al203)(AL)；工艺(120)：将把形成有氧化铝绝缘层(Al2O3)(AL)的硅晶片SW和另一硅晶片SW2进行单面粘接或用其他方法进行粘接；工艺(130)：将把粘接好的硅晶片(SW，SW2)用多种方法进行切削加工；工艺(140)：将对切削加工完的硅晶片粘接体(SW，SW2)的表面进行抛光。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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