[发明专利]SOI晶片的制造方法无效
| 申请号： | 01141755.2 | 申请日： | 2001-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1366331A | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | 权龙范;李钟玄 | 申请（专利权）人： | 株式会社COMTECS;权龙范;李钟玄 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 沈阳市科威专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 晶片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种SOI晶片的制造方法，其工艺特征是：工艺(100)：在该工艺中备好具有设计厚度的硅晶片(SW)；工艺(110)：在备好的硅晶片(SW)上利用ALE工艺或ALCVD，ALD，ASCVD，ALVCD等工艺去形成氧化铝绝缘膜层(Al203)(AL)；工艺(120)：将把形成有氧化铝绝缘层(Al2O3)(AL)的硅晶片SW和另一硅晶片SW2进行单面粘接或用其他方法进行粘接；工艺(130)：将把粘接好的硅晶片(SW，SW2)用多种方法进行切削加工；工艺(140)：将对切削加工完的硅晶片粘接体(SW，SW2)的表面进行抛光。
2、根据权利要求1所述的制造方法，其特征是：绝缘膜层材料除氧化铝(Al2O3)(AL)之外，还用二氧化钛(TiO2)和氧化钽(Ta2O3)。
3、根据权利要求1所述的制造方法，其特征是：粘接工艺(120)是单向粘接方法。
4、根据权利要求1所述的制造方法，其特征是：硅晶片(SW，SW2)用Smart Cut方法来进行切削加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
