[发明专利]具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 01141512.6 | 申请日： | 2001-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1347146A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 小林研也 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括通过第一绝缘膜层叠在或键合于导电支撑衬底上的导电半导体衬底,将至少形成有所需器件的器件形成区与半导体衬底隔离的隔离沟槽,一隔离沟槽,以及半导体衬底不存在的衬底接触区。该半导体器件还包括第二绝缘膜,其填充上述隔离沟槽并覆盖衬底接触区的表面,在半导体衬底上形成的外部连接电极,以及一支撑衬底连接部分,其贯通衬底接触区中的第一绝缘膜和第二绝缘膜,以连接外部连接电极和支撑衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘体 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：通过第一绝缘膜层叠在或键合于导电支撑衬底上的导电半导体衬底；将至少形成有所需元件的器件形成区与所述半导体衬底分隔的隔离沟槽；隔离沟槽；其中不存在所述半导体衬底的衬底接触区；第二绝缘膜，其填充上述隔离沟槽并覆盖所述衬底接触区的表面；在所述半导体衬底上形成的外部连接电极；以及支撑衬底连接部分，其通过所述衬底接触区中的所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，以连接所述外部连接电极和所述支撑衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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