[发明专利]导电连线的制造方法有效
申请号: | 01141035.3 | 申请日: | 2001-08-28 |
公开(公告)号: | CN1162902C | 公开(公告)日: | 2004-08-18 |
发明(设计)人: | B·哈斯勒;R·F·施纳贝;G·欣德勒;V·魏因里希 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种通过绝缘层,接触孔和导电材料制造导电连线的方法,其接触孔用所述导电材料填充。本发明所述方法可制造出一种酒杯形状的接触孔,其中的导电填充材料和势垒层不会产生公知的问题,例如形成空腔,过腐蚀沟槽和介电“封闭”。通过本方法,仅仅通过少数几个掩模步骤,即可在诸如高集成度的FRAMs和DRAMs的选择晶体管的扩散区和存储器电容的下部电极之间制出导电连线。图11 | ||
搜索关键词: | 导电 连线 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通过一层或多层绝缘层制造导电连线的方法,特别是扩散区和电极之间的导电连线的制造方法,包括以下步骤:a)准备一块具有至少一层绝缘层的半导体衬底,b)将一个掩模放置在所述绝缘层上面,c)进行一个基本上是均质的腐蚀步骤,d)进行一个基本上是非均质的腐蚀步骤,直至达到所述绝缘层的底部,并产生出一个接触孔,e)将掩模拿开,f)将所述接触孔用一种第一导电材料填充,g)将所述第一导电材料回缩腐蚀至一个预定深度,h)将所述接触孔的暴露区用至少一种第二导电材料填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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