[发明专利]导电连线的制造方法有效

专利信息
申请号: 01141035.3 申请日: 2001-08-28
公开(公告)号: CN1162902C 公开(公告)日: 2004-08-18
发明(设计)人: B·哈斯勒;R·F·施纳贝;G·欣德勒;V·魏因里希 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒
地址: 联邦德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种通过绝缘层,接触孔和导电材料制造导电连线的方法,其接触孔用所述导电材料填充。本发明所述方法可制造出一种酒杯形状的接触孔,其中的导电填充材料和势垒层不会产生公知的问题,例如形成空腔,过腐蚀沟槽和介电“封闭”。通过本方法,仅仅通过少数几个掩模步骤,即可在诸如高集成度的FRAMs和DRAMs的选择晶体管的扩散区和存储器电容的下部电极之间制出导电连线。图11
搜索关键词: 导电 连线 制造 方法
【主权项】:
1.一种通过一层或多层绝缘层制造导电连线的方法,特别是扩散区和电极之间的导电连线的制造方法,包括以下步骤:a)准备一块具有至少一层绝缘层的半导体衬底,b)将一个掩模放置在所述绝缘层上面,c)进行一个基本上是均质的腐蚀步骤,d)进行一个基本上是非均质的腐蚀步骤,直至达到所述绝缘层的底部,并产生出一个接触孔,e)将掩模拿开,f)将所述接触孔用一种第一导电材料填充,g)将所述第一导电材料回缩腐蚀至一个预定深度,h)将所述接触孔的暴露区用至少一种第二导电材料填充。
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