[发明专利]电平移位电路和半导体集成电路无效
| 申请号： | 01137582.5 | 申请日： | 2001-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1351421A | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | 林浩功;高桥敏郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明电平转换电路,由用于提供与输入信号相同相位的电平转换信号和其反相的信号的电平移位电路、响应电平移位电路的较早的输出信号的用于产生输出信号的跟随电路组成,其中由在第一电压端和第二电压端之间串联连接二个p沟道型MOS晶体管和二个n沟道型MOS晶体管的反相器电路组成跟随电路,其中一对是用作输入晶体管而剩下的晶体管对必须得到基于电平移位电路的输出的反馈才能快速响应下一个改变。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 移位 电路 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种电平转换电路，包括：第一电路，包括用于接收具有第一信号幅度的第一信号的第一输入端、用于提供具有大于上述的第一信号幅度的第二信号幅度并处于与上述的第一信号相同相位的第二信号的第一输出端和用于提供具有大于上述的第一信号幅度的第二信号幅度并处于与上述的第一信号相反相位的第三信号的第二输出端；以及第二电路，包括在第一电压端和第二电压端之间串联连接源-漏通路的第一p沟道型MOS晶体管、第二p沟道型MOS晶体管、第一n沟道型MOS晶体管和第二n沟道型MOS晶体管，并且上述的第一p沟道型MOS晶体管的漏极和上述的n沟道MOS晶体管的漏极与第三输出端连接；其中根据从上述的第一电路中的上述的第一输出端提供的上述的第二信号的信号改变或者从上述的第一电路中的上述的第二输出端提供的上述的第三信号的信号改变，不论哪个信号在信号电平变化较快，上述的第二电路形成具有上述的第二信号幅度的第四信号，并且从上述的第三输出端提供上述的第四信号。
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