[发明专利]非易失半导体存储装置有效
| 申请号： | 01137244.3 | 申请日： | 2001-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1346130A | 公开（公告）日： | 2002-04-24 |
| 发明（设计）人： | 柴田升;田中智晴 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C16/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 罗亚川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储单元阵列具有第1、第2存储区域。上述第1存储区域具有由地址信号选择的多个存储元件,上述第2存储区域具有由控制信号选择的多个存储元件。控制电路具有第1熔丝元件。上述控制电路在上述第1熔丝元件被切断时,禁止对于上述第2存储区域的写入和擦除的至少其中之一。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，其特征是包含：具有第1、第2存储区域的存储单元阵列，上述第1存储区域(blk)具有由地址信号选择的多个存储元件，上述第2存储区域(blkRD)具有由控制信号选择的多个存储元件；具有熔丝元件的控制电路(15)，上述控制电路在切断上述熔丝元件时，禁止相对于上述第2存储区域的写入和擦除的至少其中之一。
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