[发明专利]低阻值晶体管元件的制作方法

摘要

本发明提供一种低阻值(Rs)晶体管元件的制作方法。首先于一基底上形成一闸极；于该闸极两侧一源极区域/汲极区域内的该基底中分别形成一源极/汲极；电浆蚀刻去除一形成于该源极区域/汲极区域的原生氧化层；于该基底上形成一金属层，覆盖该闸极、该源极区域/汲极区域；以及进行一快速热处理(RTP)，使该金属层与该源极区域/汲极区域的该基底反应形成一金属硅化层。其中该原生氧化层的去除可增加该金属硅化层厚度，并降低该晶体管元件的源极/汲极片电阻。

主权项

1.一种降低金属氧化物半导体晶体管源极/汲极片电阻的方法，该方法包含有下列步骤：于一基底上形成一闸极；于该闸极两侧一源极区域以及一汲极区域内的该基底中分别形成一源极以及一汲极；于该基底上形成一金属层，覆盖该闸极、该源极区域以及该汲极区域；进行一快速热处理，使该金属层与该源极区域以及该汲极区域的该基底反应形成一金属硅化层，其中该金属硅化层的厚度系由该快速热处理的反应时间、一金属横向扩散速率以及一金属垂直扩散速率决定；以及在形成该金属层之前，进行一干蚀刻制程，于一控制RF功率以及时间参数的钝气电浆环境中，去除一形成于该源极区域以及该汲极区域的原生氧化层，刚好暴露出该基底表面而不损伤该基底表面；其中该原生氧化层的去除可于该快速热处理过程中增加该金属垂直扩散速率，从而增加该金属硅化层厚度，并降低该金属氧化物半导体晶体管元件源极/汲极片电阻。