[发明专利]具有浮置栅的内存组件的制造方法有效
| 申请号： | 01129354.3 | 申请日： | 2001-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1327264A | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | 范左鸿;卢道政;蔡文哲;潘正圣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有浮置栅的内存组件的制造方法,提供一个基底,并对基底进行一信道掺杂步骤,以使预定形成的内存组件的实际起始电压值大于预定形成的内存组件的预定起始电压值。接着,依序在基底上形成堆栈栅以及源/漏极区以完成内存组件的制作。通过实际起始电压值的提高,避免漏极开关漏电流的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 浮置栅 内存 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有浮置栅的内存组件的制造方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：提供一基底；对该基底进行一信道掺杂步骤，该信道掺杂步骤使预定形成的该具有浮置栅的内存组件的一实际起始电压值大于预定形成的该具有浮置栅的内存组件的一预定的起始电压值；在该基底上形成一堆栈栅；在该基底中形成一源/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
