[发明专利]制造微电子器件的方法和微电子器件

摘要

本发明涉及制造微电子器件的方法和这类微电子器件，其中在基片(1)上形成一个存储电容(3)，在所述的存储电容(3)上形成一种防止氢透过的势垒(4)。根据本发明，在形成所述的势垒时首先产生氧化硅层(41)，对存储电容(3)和氧化硅层(41)进行退火，在退火后的氧化硅层(41)上镀敷防止氢透过的势垒层(42)，势垒层(42)由第一子层(421)和第二子层(422)构成，其中先镀敷由金属氧化物组成的第一子层(421)，后镀敷由氮化硅组成的第二子层(422)。这样在镀敷有效的氢势垒之后简便地腐蚀接触孔，镀敷氢势垒不会导致增大对存储电容的损害。

主权项

1.制造微电子器件的方法，其中，a)在基片(1)上形成一个存储电容(3)，所述电容包括-第一电极(31)-第二电极(33)，和-位于所述电极(31，33)之间的铁电或顺电电介质(32)，而且b)在所述的存储电容(3)上形成一种防止氢透过的势垒(4)，其特征在于：在形成所述的势垒时，-首先产生一种氧化硅层(41)，-对所述的存储电容(3)和所述的氧化硅层(41)进行退火，并且-在退火后的氧化硅层(41)上镀敷一种防止氢透过的势垒层(42)，所述的势垒层(42)由均能防止氢透过的第一子层(421)和第二子层(422)构成，其中先镀敷由金属氧化物组成的所述第一子层(421)，随后镀敷由氮化硅组成的所述第二子层(422)。