[发明专利]利用有机材质形成金属硅化物保护电路的方法

摘要

本发明揭示一种利用有机材质形成金属硅化物保护电路的方法，所述方法包括首先在周边电路区的闸极元件与存储阵列的闸极元件上同时形成一阻障层；接着，形成一有机层于前述结构上；移除有机层与阻障层直到曝露存储阵列的闸极元件与周边电路区的闸极元件的表面为止；随后，通过灰化制程去除剩余的有机层；形成一光阻层于存储阵列上；接着，蚀刻阻障层直到曝露底材表面为止；以及在移除光阻层之后，进行一金属硅化物制程。

主权项

1.一种形成金属硅化物保护电路的方法，其特征在于，至少包括下列步骤：提供一具有一存储阵列与一周边电路区的半导体底材；形成一介电层于所述存储阵列与所述周边电路区的元件以及所述半导体底材上；采用一种有机材质进行一涂布制程以形成一有机层于所述介电层上；进行一回蚀刻制程，以移除一部份所述有机层与所述介电层直到曝露所述存储阵列与所述周边电路区的元件的表面为止；进行一灰化制程以完全移除所述有机层；形成一光阻层于所述存储阵列的元件上；借助所述光阻层与所述周边电路区的元件当成蚀刻罩幕进行一蚀刻制程，以蚀刻所述周边电路区的所述介电层直到曝露所述周边电路区的所述半导体底材的表面为止；移除所述光阻层；与进行一金属硅化物制程以分别形成一金属硅化物层于所述存储阵列与所述周边电路区的元件上，以及所述周边电路区的所述半导体底材中，以便于形成所述金属硅化物保护电路。