[发明专利]一种选域金刚石膜的制备方法无效
申请号: | 01124619.7 | 申请日: | 2001-07-25 |
公开(公告)号: | CN1162568C | 公开(公告)日: | 2004-08-18 |
发明(设计)人: | 赵海峰;宋航;李志明;金亿鑫;邴秀华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/27 |
代理公司: | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 130022吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及制备金刚石薄膜的方法,在选域衬底的导电图形上生成籽晶衬底实现金刚石膜精确定域沉积;对籽晶衬底继续生长制备不同特性的金刚石膜。金刚石膜与衬底附着牢固;例如:制备金刚石场发射冷阴极,将电子发射区域有效地控制在所选择区域,集中密集发射。特别是在微尖(台)顶部预沉积籽晶并生长金刚石的冷阴极,可较好的利用场增强效应,避免发射点过于分散,有利于提高微尖处的电流发射密度,改善发射均匀性。本发明可应用于平板显示器、真空微电子器件等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 金刚石 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种选域金刚石膜的制备方法其特征在于:(1)首先根据应用需要制备选域衬底:在衬底所选区域制备导电图形;(2)将适量籽晶微粒加到电泳悬浮液中,超声处理或充分搅拌后,将籽晶微粒导电图形自对准定位地预沉积到衬底选域上,即在选域衬底的导电图形上生成籽晶而成为籽晶衬底;(3)再利用化学气相沉积或激光沉积或外延对上述籽晶衬底继续生长,同时改变工作气体的成分或比例及生长温度和压强条件制备不同特性的金刚石膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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