[发明专利]一种选域金刚石膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 01124619.7 申请日: 2001-07-25
公开(公告)号: CN1162568C 公开(公告)日: 2004-08-18
发明(设计)人: 赵海峰;宋航;李志明;金亿鑫;邴秀华 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: C23C16/04 分类号: C23C16/04;C23C16/27
代理公司: 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人: 梁爱荣
地址: 130022吉*** 国省代码: 吉林;22
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及制备金刚石薄膜的方法,在选域衬底的导电图形上生成籽晶衬底实现金刚石膜精确定域沉积;对籽晶衬底继续生长制备不同特性的金刚石膜。金刚石膜与衬底附着牢固;例如:制备金刚石场发射冷阴极,将电子发射区域有效地控制在所选择区域,集中密集发射。特别是在微尖(台)顶部预沉积籽晶并生长金刚石的冷阴极,可较好的利用场增强效应,避免发射点过于分散,有利于提高微尖处的电流发射密度,改善发射均匀性。本发明可应用于平板显示器、真空微电子器件等领域。
搜索关键词: 一种 金刚石 制备 方法
【主权项】:
1、一种选域金刚石膜的制备方法其特征在于:(1)首先根据应用需要制备选域衬底:在衬底所选区域制备导电图形;(2)将适量籽晶微粒加到电泳悬浮液中,超声处理或充分搅拌后,将籽晶微粒导电图形自对准定位地预沉积到衬底选域上,即在选域衬底的导电图形上生成籽晶而成为籽晶衬底;(3)再利用化学气相沉积或激光沉积或外延对上述籽晶衬底继续生长,同时改变工作气体的成分或比例及生长温度和压强条件制备不同特性的金刚石膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01124619.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top