[发明专利]铁电电容及其制造方法和铁电存储单元制造方法有效
| 申请号： | 01123711.2 | 申请日： | 2001-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1399324A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈旭顺;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/8239;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种垂直铁电电容及其制造方法以及一种铁电存储单元的制造方法。首先在半导体基底上形成一层绝缘层，接着在绝缘层中形成平行的下电极开口与上电极开口，所形成开口的深度大于其宽度。然后在开口中填入导电材料，以形成两片垂直且平行平板状的下电极与上电极。之后去除下电极与上电极之间的部分绝缘层，在下电极与上电极之间形成开口，而后在下电极与上电极之间填入铁电层，形成具有垂直结构的铁电电容。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 及其 制造 方法 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种铁电电容的制造方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成一绝缘层，且该绝缘层中形成垂直于所述半导体基底的一第一开口与一第二开口；在该第一开口与该第二开口中填入一导电材料，以形成一下电极与一上电极；去除该下电极与该上电极之间的部分该绝缘层；以及在该下电极与该上电极之间填入一铁电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
