[发明专利]存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器无效
| 申请号： | 01122479.7 | 申请日： | 2001-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1335625A | 公开（公告）日： | 2002-02-13 |
| 发明（设计）人： | U·哈特曼 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成存储器,它具有一些有磁阻存储效应的存储单元(MC1～MC3),所述的存储单元分别被连接在一个公共的电气导线(WLk)上。所述的导线(WLk)具有第一印刷线路(LB1)和第二印刷线路(LB2)以及第一端子(A1)和第二端子(A2),且所述导线(WLk)在所述的端子之间连接在所述的存储单元(MC1～MC3)上。所述第一印刷线路(LB1)的所述第一端子(A1)被接到一个电流源(Q1)上,而所述第二印刷线路(LB2)的所述第二端子(A2)被接到另一电流源(Q2)上,以便向存储单元(MC1～MC3)之一写入信息。由此可以使存储器在存储数据方面实现较高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 具有 磁阻 效应 集成 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种集成存储器，-具有一些有磁阻存储效应的存储单元(MC1～MC3)，所述的存储单元分别被连接在一个公共的电气导线(WLk)上，-其中，所述的导线(WLk)具有第一印刷线路(LB1)和第二印刷线路(LB2)，-其中，所述的导线(WLk)具有第一端子(A1)和第二端子(A2)，且在所述的端子(A1，A2)之间，所述导线在耦合节点(x1～x3)处连接在所述的存储单元(MC1～MC3)上，-其中，所述第一印刷线路(LB1)的所述第一端子(A1)被接到一个电流源(Q1)上，而所述第二印刷线路(LB2)的所述第二端子(A2)被接到另一电流源(Q2)上，以便向存储单元(MC1～MC3)之一写入信息。
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