[发明专利]凸起的形成方法、半导体器件及其制造方法、电路板及电子机器无效
| 申请号： | 01120712.4 | 申请日： | 2001-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1322010A | 公开（公告）日： | 2001-11-14 |
| 发明（设计）人： | 樱井和德;太田勉;松岛文明;间箇部 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种能够以期望的宽度简单地形成凸起的凸起形成方法、半导体器件及其制造方法、电路板和电子机器。凸起的形成方法为在绝缘膜15上形成露出焊盘12的至少一部分的开口部16,形成与上述焊盘12连接的凸起,形成具有与上述焊盘12的至少一部分平面地重叠的通孔22的抗蚀层20,在上述绝缘膜15中形成开口部16,形成与通过上述开口部16露出的上述焊盘12连接的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 凸起 形成 方法 半导体器件 及其 制造 电路板 电子 机器 | ||
【主权项】：
1.一种形成凸起的方法，包括：在绝缘膜上形成露出至少一部分焊盘的开口部；形成与上述焊盘连接的凸起。形成具有与上述焊盘在平面上至少重叠一部分的通孔的抗蚀剂层；在上述绝缘膜中形成开口部，形成与通过上述开口部露出的上述焊盘连接的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
