[发明专利]凸起的形成方法、半导体器件及其制造方法、电路板及电子机器无效
申请号: | 01120712.4 | 申请日: | 2001-04-28 |
公开(公告)号: | CN1322010A | 公开(公告)日: | 2001-11-14 |
发明(设计)人: | 樱井和德;太田勉;松岛文明;间箇部 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 凸起 形成 方法 半导体器件 及其 制造 电路板 电子 机器 | ||
本发明涉及凸起的形成方法、半导体器件及其制造方法、电路板及电子机器。
已知在半导体芯片的焊盘上形成凸起时,使用非电解电镀来形成由金属等构成的凸起的方法。
但是,在非电解电镀中,因为不仅在金属的高度方向、而且还在宽度方向上生长(各向同性生长),凸起的宽度超过焊盘的宽度,因而难以相对于狭窄间距的焊盘来形成凸起。
本发明为了解决上述问题,其目的在于提供一种能以期望的宽度并简单地形成凸起的凸起的形成方法、半导体器件及其制造方法、电路板及电子机器。
(1)根据本发明的凸起的形成方法,在绝缘膜上形成露出至少焊盘的一部分的开口部,形成与上述焊盘连接的凸起,
形成具有与上述焊盘在平面上至少重叠一部分的通孔的抗蚀层,
在上述绝缘膜中形成开口部,形成与通过上述开口部露出的上述焊盘连接的金属层。
根据本发明,例如,因为使用一次形成的抗蚀层的通孔来在绝缘膜上形成开口部,形成了与焊盘连接的金属层,所以能够以简单工序来形成凸起。在抗蚀层的通孔内形成金属层的情况下,能够以对应于通孔大小的形状、即期望的宽度来形成凸起。
(2)对于该凸起形成方法,也可以不超过上述焊盘的外围来形成上述通孔。
由此,能够不超过焊盘的外围来形成金属层。因此,在以狭窄间距设置的多个焊盘的每一个中,能够形成凸起。
(3)对于该凸起形成方法,也可以在上述焊盘的端部形成比在其中央部厚的上述绝缘膜。
由此,能够以厚的绝缘膜来确实保护半导体芯片。绝缘膜的厚的部分也可由多个层来形成。
(4)对于该凸起形成方法,也可以在与上述焊盘的外围相比为内侧、并且、在与上述绝缘膜形成得薄的上述焊盘的中央部相比的外侧处形成上述通孔。
由此,能够不使焊盘露出来形成凸起。
(5)对于该凸起形成方法,上述金属层也可以由第一金属层和在上述第一金属层的表面上形成的第二金属层构成。
(6)对于该凸起形成方法,上述开口部也可以超出上述通孔的外围而形成,由此在上述焊盘中形成形成上述第一金属层的区域和露出部,在上述焊盘中形成上述第二金属层来覆盖上述露出部。
由此,即使形成为开口部超出通孔的形状,但因为由第二金属层覆盖了焊盘的露出部,所以不会露出焊盘。
(7)对于该凸起形成方法,也可以在上述通孔中形成上述第一金属层后,去除上述抗蚀层,形成上述第二金属层来覆盖上述第一金属层。
由此,能够防止第一金属层的表面氧化。
(8)对于该凸起形成方法,也可以在上述通孔中形成上述第一金属层后,保留上述抗蚀层,在上述第一金属层的上面形成第二金属层。
由此,例如,在选择焊料容易附着的材料作为第二金属层的情况下,能够仅在金属层的大致上面内设置焊料。即,例如,能够避免焊料扩散到金属层的外侧,从而能够不使各焊盘短路来设置焊料。
(9)对于该凸起形成方法,也可以突出上述通孔来形成上述第一金属层,形成具有比上述通孔的宽度大的宽度的前端部。
由此,由该前端部比通孔大的宽度来形成第一金属层。因此,例如,能够形成在凸起中存放部分焊料的空间。因此,例如,焊料不会扩散到金属层的外侧,即能够不使各焊盘短路来设置焊料。
(10)对于该凸起形成方法,也可以突出上述通孔来形成上述第二金属层,形成具有比上述通孔的宽度大的宽度的前端部。
由此,由该前端部比通孔大的宽度来形成第二金属层。因此,例如,能够形成在凸起中存放部分焊料的空间。因此,例如,焊料不会扩散到金属层的外侧,即能够不使各焊盘短路来设置焊料。
(11)对于该凸起形成方法,也可以由非电解电镀来形成上述第一金属层。
(12)对于该凸起形成方法,也可以由非电解电镀来形成上述第二金属层。
(13)对于该凸起形成方法,也可以包括在上述金属层中设置焊料的工序。
(14)对于该凸起形成方法,也可以在上述设置焊料的工序中,至少避开上述金属层的上面而在周围设置树脂层,在从上述金属层的上述树脂层露出的部分中设置上述焊料。
由此,因为能够通过树脂层来排拒焊料,所以能够在金属层中设置适量的焊料。即,当熔融焊料时,能够防止扩散到金属层的周围。因此,例如,对于半导体芯片的多个焊盘,能够防止焊料与相邻的焊盘接触。
(15)对于该凸起形成方法,也可以与上述抗蚀层基本同一平面地形成上述金属层,在从上述金属层的上述树脂层露出的部分中设置上述焊料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造