[发明专利]凸起的形成方法、半导体器件及其制造方法、电路板及电子机器无效

专利信息
申请号: 01120712.4 申请日: 2001-04-28
公开(公告)号: CN1322010A 公开(公告)日: 2001-11-14
发明(设计)人: 樱井和德;太田勉;松岛文明;间箇部 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 梁永
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 凸起 形成 方法 半导体器件 及其 制造 电路板 电子 机器
【权利要求书】:

1.一种形成凸起的方法,包括:在绝缘膜上形成露出至少一部分焊盘的开口部;形成与上述焊盘连接的凸起。

形成具有与上述焊盘在平面上至少重叠一部分的通孔的抗蚀剂层;

在上述绝缘膜中形成开口部,形成与通过上述开口部露出的上述焊盘连接的金属层。

2.如权利要求1的凸起形成方法,其特征在于:形成的上述通孔不超过上述焊盘的外周。

3.如权利要求1或2的凸起形成方法,其特征在于:在上述焊盘的端部形成的上述绝缘膜比在其中央部形成的厚。

4.如权利要求3的凸起形成方法,其特征在于:在上述焊盘的外围内侧、并且在上述焊盘的中央部的外侧处形成上述通孔,其中上述焊盘的中央部比上述绝缘膜形成得薄。

5.如权利要求1至4的任一项的凸起形成方法,其特征在于:上述金属层由第一金属层和在上述第一金属层上形成的第二金属层构成。

6.如权利要求5的凸起形成方法,其特征在于:上述开口部超出上述通孔而形成,在上述焊盘中形成上述第一金属层的区域和露出部,通过覆盖上述露出部而在上述焊盘中形成上述第二金属层。

7.如权利要求5或6的凸起形成方法,其特征在于:在上述通孔中形成上述第一金属层后,去除上述抗蚀剂层,通过覆盖上述第一金属层而形成上述第二金属层。

8.如权利要求5的凸起形成方法,其特征在于:在上述通孔中形成上述第一金属层后,保留上述抗蚀剂层,在上述第一金属层的上面形成第二金属层。

9.如权利要求5至8的任一项的凸起形成方法,其特征在于:突出上述通孔来形成上述第一金属层,形成具有比上述通孔的宽度大的宽度的端部。

10.如权利要求5至8的任一项的凸起形成方法,其特征在于:突出上述通孔来形成上述第二金属层,形成具有比上述通孔的宽度大的宽度的端部。

11.如权利要求5至10的任一项的凸起形成方法,其特征在于:由无电沉积来形成上述第一金属层。

12.如权利要求5至11的任一项的凸起形成方法,其特征在于:由无电沉积来形成上述第二金属层。

13.如权利要求1至12的任一项的凸起形成方法,其特征在于:还包括在上述金属层中设置焊料的步骤。

14.如权利要求13的凸起形成方法,其特征在于:在上述设置焊料的步骤中,至少避开上述金属层的上面而在周围设置树脂层,在从上述金属层的上述树脂层露出的部分中设置上述焊料。

15.如引用权利要求8的权利要求13的凸起形成方法,其特征在于:与上述抗蚀剂层基本同一平面地形成上述金属层,在从上述金属层的上述树脂层露出的部分中设置上述焊料。

16.如权利要求8的凸起形成方法,其特征在于:上述第一金属层形成得比上述抗蚀剂层低,将上述抗蚀剂层作为掩膜,通过印刷法来设置上述第二金属层。

17.如权利要求8的凸起形成方法,其特征在于:在上述绝缘膜上,在上述通孔的外围中形成与上述第一金属层电连接的导电膜,上述第一金属层形成得比上述抗蚀剂层低,将上述导电膜作为电极,通过电解电镀来设置上述第二金属层。

18.如权利要求5至17的任一项的凸起形成方法,其特征在于:上述第一金属层由包含镍的材料构成。

19.如权利要求5至18的任一项的凸起形成方法,其特征在于:上述第二金属层由包含金的材料构成。

20.如权利要求5至18的任一项的凸起形成方法,其特征在于:上述第二金属层由焊料构成。

21.如权利要求13、14、15、20的任一项的凸起形成方法,其特征在于:上述焊料包含Sn或Sn和从Ag、Cu、Bi、Zn中选择的至少一种金属。

22.如权利要求12的凸起形成方法,其特征在于:上述第二金属层由第一和第二Au层形成,上述第一Au层通过置换电镀形成于上述第一金属层的表面中,上述第二Au层通过自触媒电镀形成于上述第一Au层的表面中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01120712.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top