[发明专利]凸起的形成方法、半导体器件及其制造方法、电路板及电子机器无效
申请号: | 01120712.4 | 申请日: | 2001-04-28 |
公开(公告)号: | CN1322010A | 公开(公告)日: | 2001-11-14 |
发明(设计)人: | 樱井和德;太田勉;松岛文明;间箇部 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 凸起 形成 方法 半导体器件 及其 制造 电路板 电子 机器 | ||
1.一种形成凸起的方法,包括:在绝缘膜上形成露出至少一部分焊盘的开口部;形成与上述焊盘连接的凸起。
形成具有与上述焊盘在平面上至少重叠一部分的通孔的抗蚀剂层;
在上述绝缘膜中形成开口部,形成与通过上述开口部露出的上述焊盘连接的金属层。
2.如权利要求1的凸起形成方法,其特征在于:形成的上述通孔不超过上述焊盘的外周。
3.如权利要求1或2的凸起形成方法,其特征在于:在上述焊盘的端部形成的上述绝缘膜比在其中央部形成的厚。
4.如权利要求3的凸起形成方法,其特征在于:在上述焊盘的外围内侧、并且在上述焊盘的中央部的外侧处形成上述通孔,其中上述焊盘的中央部比上述绝缘膜形成得薄。
5.如权利要求1至4的任一项的凸起形成方法,其特征在于:上述金属层由第一金属层和在上述第一金属层上形成的第二金属层构成。
6.如权利要求5的凸起形成方法,其特征在于:上述开口部超出上述通孔而形成,在上述焊盘中形成上述第一金属层的区域和露出部,通过覆盖上述露出部而在上述焊盘中形成上述第二金属层。
7.如权利要求5或6的凸起形成方法,其特征在于:在上述通孔中形成上述第一金属层后,去除上述抗蚀剂层,通过覆盖上述第一金属层而形成上述第二金属层。
8.如权利要求5的凸起形成方法,其特征在于:在上述通孔中形成上述第一金属层后,保留上述抗蚀剂层,在上述第一金属层的上面形成第二金属层。
9.如权利要求5至8的任一项的凸起形成方法,其特征在于:突出上述通孔来形成上述第一金属层,形成具有比上述通孔的宽度大的宽度的端部。
10.如权利要求5至8的任一项的凸起形成方法,其特征在于:突出上述通孔来形成上述第二金属层,形成具有比上述通孔的宽度大的宽度的端部。
11.如权利要求5至10的任一项的凸起形成方法,其特征在于:由无电沉积来形成上述第一金属层。
12.如权利要求5至11的任一项的凸起形成方法,其特征在于:由无电沉积来形成上述第二金属层。
13.如权利要求1至12的任一项的凸起形成方法,其特征在于:还包括在上述金属层中设置焊料的步骤。
14.如权利要求13的凸起形成方法,其特征在于:在上述设置焊料的步骤中,至少避开上述金属层的上面而在周围设置树脂层,在从上述金属层的上述树脂层露出的部分中设置上述焊料。
15.如引用权利要求8的权利要求13的凸起形成方法,其特征在于:与上述抗蚀剂层基本同一平面地形成上述金属层,在从上述金属层的上述树脂层露出的部分中设置上述焊料。
16.如权利要求8的凸起形成方法,其特征在于:上述第一金属层形成得比上述抗蚀剂层低,将上述抗蚀剂层作为掩膜,通过印刷法来设置上述第二金属层。
17.如权利要求8的凸起形成方法,其特征在于:在上述绝缘膜上,在上述通孔的外围中形成与上述第一金属层电连接的导电膜,上述第一金属层形成得比上述抗蚀剂层低,将上述导电膜作为电极,通过电解电镀来设置上述第二金属层。
18.如权利要求5至17的任一项的凸起形成方法,其特征在于:上述第一金属层由包含镍的材料构成。
19.如权利要求5至18的任一项的凸起形成方法,其特征在于:上述第二金属层由包含金的材料构成。
20.如权利要求5至18的任一项的凸起形成方法,其特征在于:上述第二金属层由焊料构成。
21.如权利要求13、14、15、20的任一项的凸起形成方法,其特征在于:上述焊料包含Sn或Sn和从Ag、Cu、Bi、Zn中选择的至少一种金属。
22.如权利要求12的凸起形成方法,其特征在于:上述第二金属层由第一和第二Au层形成,上述第一Au层通过置换电镀形成于上述第一金属层的表面中,上述第二Au层通过自触媒电镀形成于上述第一Au层的表面中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造