[发明专利]低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法无效
| 申请号： | 01115945.6 | 申请日： | 2001-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1162569C | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 于中尧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/42;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法。源为氩气稀释的SiH4，浓度为1-30％；硅烷的流量为1.5-6L/min；氨气的流量为0.01-0.2L/min；生长温度为750℃-1000℃；硅烷和氨气的比例为25∶1-120∶1；真空系统的抽速为15L/min-2000L/min。本发明提出的方法能够生长出一种内应力极低的低应力氮化硅，采用普通的LPCVD(低压化学气相沉积)设备，在850℃，淀积厚度超过15微米的低应力氮化硅。这种薄膜能够进行三维立体加工。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 超厚氮硅 化合物 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法，其特征在于所述方法采用普通的低压化学气相沉积设备，包括：源为氩气稀释的SiH4，浓度为1-30％；硅烷的流量： 1.5-6L/min；氨气的流量： 0.01-0.2L/min；硅烷和氨气的比例： 25∶1-120∶1；生长温度： 750℃-1000℃；真空系统的抽速为15L/min-2000L/min。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
