[发明专利]纳米光－热伏电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米光—热伏电池，包括半导体衬底、扩散层、高掺杂扩散层、电极、离子注入层。离子注入层夹在衬底与高掺杂扩散层之间，形成两个PN结。高掺杂扩散层覆盖离子注入层，使其厚度在1nm-100nm之间。同时本发明还给出了该电池的制备方法，包括氧化、光刻、扩散、离子注入、低压真空化学淀积、蒸铝等步骤。本发明真正实现了将太阳光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均转换成电能，因此转换效率大大提高，性价比产生了飞跃，可以工业化生产。

主权项

1.一种纳米光—热伏电池，包括半导体衬底、扩散层、高掺杂扩散层，以及分别从衬底和高掺杂扩散层引出的电极，其特征在于：还含有离子注入层，所述离子注入层夹在所述衬底与所述高掺杂扩散层之间，形成两个PN结，构成类似“三明治”的纳米夹层结构，所述纳米夹层结构呈栏杆状排列，各纳米夹层结构相互之间为与所述半导体衬底的导电类型相反的矩形所述扩散层，所述离子注入层被所述高掺杂扩散层覆盖，所述离子注入层厚度在1nm——100nm之间。