[发明专利]一种红外探测器用的硅锗/硅异质结材料无效
| 申请号： | 01113205.1 | 申请日： | 2001-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1133216C | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张翔九;胡际璜 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/0288;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于红外探测器技术领域，具体为一种红外探测器的SiGe/Si异质结材料，其中SiGe的组份为Si1-xGex，0.45≤x≤0.55。该材料的工作波段为3-5μm，工作温度大于80K，最高可达105K.由此制作的红外探测器，具有良好的性能。例如，在室温环境中可用液氮作致冷剂工作，在太空中(环境温度为105K)不需任何制冷剂就可以工作。该探测器适宜于制作大规模的红外探测器焦平面阵列等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 探测 器用 硅异质结 材料 | ||
【主权项】：
1、一种SiGe/Si红外探测器用的异质结材料，其中SiGe合金的组份如下：Si1-xGex0.45≤x≤0.55，其厚度为100-120埃，P型掺杂源为B2O3，p型掺杂浓度为1020/cm3数量级。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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