[发明专利]一种用于合成稀土陶瓷材料的工艺方法无效

专利信息
申请号: 01112512.8 申请日: 2001-03-29
公开(公告)号: CN1377854A 公开(公告)日: 2002-11-06
发明(设计)人: 韦永德;郝素娥 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/622
代理公司: 哈尔滨工业大学专利中心 代理人: 李依群
地址: 150001 *** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明提出一种用于合成稀土陶瓷材料的工艺方法,该方法将稀土渗剂扩渗到陶瓷材料的表界面乃至体相。有利于稀土与陶瓷组元的相互作用,从而使陶瓷材料的压电性能,机电耦合性能高温抗氧化性、强度和韧性等综合性能得到显著改善。本发明在功能陶瓷和工程陶瓷材料领域有着广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 用于 合成 稀土 陶瓷材料 工艺 方法
【主权项】:
1、一种用于合成稀土陶瓷材料的工艺方法,其特征在于:按以下步骤实现:1、首先将陶瓷粉末制成陶瓷片。2、将扩渗炉中空气排除,造成还原性气氛。3、将陶瓷片放入扩渗炉中,炉中温度为900℃左右。4、将稀土配制成渗剂滴至扩渗炉中。
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