[发明专利]一种晶片边缘的蚀刻机及其蚀刻方法有效
申请号: | 01110183.0 | 申请日: | 2001-03-28 |
公开(公告)号: | CN1377059A | 公开(公告)日: | 2002-10-30 |
发明(设计)人: | 刘岳良 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/306 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种晶片边缘的蚀刻机台,适用于对晶片边缘进行蚀刻。由于在气体喷出凹槽外周增加一蚀刻液回渗凹槽,使晶片和工作台面间的气体压力得以降低,所以蚀刻液更易回渗至晶片正面,并且可控制蚀刻液的回渗处 | ||
搜索关键词: | 一种 晶片 边缘 蚀刻 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片边缘的蚀刻机台,适用于对具有正面及背面的晶片的边缘进行蚀刻,而上述蚀刻机台包括:一旋转夹盘,具有一工作台面,且上述工作台面设有一气体喷出凹槽及多个夹持销,晶片且上述夹持销带动上述晶片转动;以及一蚀刻液导入装置,朝向上述工作台面而设置,用以导入蚀刻液至晶片背面;以及一夹持臂,夹持晶片至工作台面和蚀刻液导入装置之间,使晶片正面朝向工作台面,晶片背面朝向蚀刻液导入装置;其特征是:上述工作台面还设有一蚀刻液回渗凹槽,而上述蚀刻液回渗凹槽设置于气体喷出凹槽的外周,且朝向位于所述晶片的边缘的正面,蚀刻液回渗至上述晶片的边缘的正面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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