[发明专利]信道热载流子效应测量装置及其方法有效
| 申请号： | 01109546.6 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1378255A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 陈伟梵 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种信道热载流子效应测量装置,适用于CMOS反相器。该装置包括一电源供应器、一功能产生器、以及一电流计。电源供应器是耦接至CMOS反相器,向CMOS反相器提供一电源电压。功能产生器耦接至CMOS反相器,向CMOS反相器的该输入端提供一三角波信号。电流计与CMOS反相器串接,于CMOS反相器经过热载流子效应应力处理前后,测量CMOS反相器瞬时电流。 | ||
| 搜索关键词： | 信道 载流子 效应 测量 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种信道热载流子效应测量评估装置，适用于一CMOS反相器，该CMOS反相器具有一输入端与一输出端；该装置包括：一电源供应器，耦接至该CMOS反相器，提供一电源电压；一功能产生器，耦接至该CMOS反相器，提供一三角波信号至该CMOS反相器的该输入端；以及一电流计，与该CMOS反相器串接，是于该CMOS反相器经过热载流子效应应力处理前后，以该电流计测量该CMOS反相器瞬时电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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