[发明专利]动态随机存储器单元的模块化集成电路的方法无效
| 申请号： | 01109535.0 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1378273A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 杨士贤;王是琦 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/82;H01L27/108;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包括至少数个深沟道动态随机存储器(DRAM)单元的一个单元的集成电路的性能的方法与装置。此方法包括执行一电路仿真器以作为设计至少数个深沟道动态随机存储器(DRAM)单元的一个单元的集成电路。再者,此方法包括使用电路仿真器计算每一个DRAM单元的一组输出参数,例如使用一深沟道DRAM单元模型以作为每一个DRAM单元。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机 存储器 单元 模块化 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种模块化集成电路的方法，其特征在于：包括：执行一电路仿真器以设计一集成电路，其中该集成电路包括至少复数个深沟道DRAM单元的一个单元；以及使用该电路仿真器来计算该些深沟道DRAM单元的每一个单元的一组输出参数，其中计算该组输出参数更包括使用一深沟道DRAM单元模型以作为该些深沟道DRAM单元的每一个单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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