[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 01103909.4 | 申请日： | 2001-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1369920A | 公开（公告）日： | 2002-09-18 |
| 发明（设计）人： | 杨光能;陈泽澎;张智松 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法,包括提供发光二极管磊晶片,磊晶片上设有多层砷化铝镓磊晶层形成的发光二极管结构成长在吸光基板上;通过软质的透明粘接层将透明基板与发光二极管磊晶层表面接合在一起。具有大幅提高发光二极管的发光效率的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括发光二极管磊晶片，其特征在于：该磊晶片上设有多层磷化铝镓铟磊晶层形成的发光二极管结构成长在吸光基板上；透明基板与该发光二极管磊晶层表面通过软质的透明粘接层接合在一起。
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