[发明专利]用于薄膜材料的沉积和/或表面改性的电子束/微波气体喷射PECVD方法和设备无效
| 申请号： | 00819458.0 | 申请日： | 2000-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1452778A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | M·伊朱;J·德勒;S·琼斯 | 申请（专利权）人： | 能源变换设备有限公司 |
| 主分类号： | H01J7/24 | 分类号： | H01J7/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 崔幼平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高质量等离子体强化表面改性或者CVD薄膜沉积的方法和设备。本发明使用微波(5)和电子束能量(6)以产生受激发的物质的等离子体，受激发的物质能够对基体(2)的表面进行改性或者沉积在基体上以形成所需的薄膜。本发明还使用一个气体喷射系统(3)以将反应物质引入到等离子体中。气体喷射系统(3)能够使沉积速度高于常规PECVD方法的沉积速度并且保持所需的高质量沉积材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 材料 沉积 表面 改性 电子束 微波 气体 喷射 pecvd 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体喷射表面改性或者薄膜沉积的设备，该设备包括：一个可抽空的沉积室；一种设置在所述沉积室中的基体；一个超音速原料气体源；一个电子束能量源；一个微波能量源；所述电子束能量和微波能量撞击所述超音速原料气体源以产生高速受激发物质的等离子体，所述高速等离子体形成引向所述基体的羽流，并且所述受激发物质根据所使用的原料气体对所述基体的表面进行改性或者沉积在所述基体上。
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