[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法,以及采用它的液晶显示器件无效
| 申请号： | 00809707.0 | 申请日： | 2000-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1359541A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 南野裕;冈田隆史;山野敦浩;千田耕司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是一种抑制光照时的关态电流(光电导电流),提供实现了高性能、高可靠性的薄膜晶体管。亦即提供有如下结构的薄膜晶体管具有形成沟道区和配置在该沟道区两侧的源区和漏区的多晶硅半导体层,在上述沟道区和上述漏区之间形成耗尽层,该耗尽层的宽度与光照射上述沟道区时产生的光电导电流呈正比关系,为将上述光电导电流控制在规定的容许值以内,将耗尽层的宽度定在了基于上述正比关系求得的值以下。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 采用 液晶显示 器件 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于：其构成如下：具有形成沟道区和配置在该沟道区两侧的源区和漏区的多晶硅半导体层，在上述沟道区和上述漏区之间形成耗尽层，该耗尽层的宽度和光照射上述沟道区时产生的光电导电流呈正比关系，为将上述光电导电流限制在规定的容许值以内，将耗尽层的宽度定在了基于上述正比关系求得的值以下。
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