[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法,以及采用它的液晶显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于：

其构成如下：具有形成沟道区和配置在该沟道区两侧的源区和漏区的多晶硅半导体层，

在上述沟道区和上述漏区之间形成耗尽层，

该耗尽层的宽度和光照射上述沟道区时产生的光电导电流呈正比关系，为将上述光电导电流限制在规定的容许值以内，将耗尽层的宽度定在了基于上述正比关系求得的值以下。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：

当上述漏区的薄层电阻记作R(kΩ/□)，上述沟道区的沟道宽度记作W(μm)时，式(1)的关系成立：

               (R+30)·W＜A···(1)

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于：

当上述漏区的薄层电阻记作R(kΩ/□)，上述沟道区的沟道宽度记作W(μm)时，式(2)的关系成立：

               (R+30)·W＜1×10³···(2)

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于：

上述沟道区的沟道宽度W在2μm以下。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于：

上述漏区的薄层电阻在20kΩ/□以上，100kΩ/□以下。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于：

上述漏区的薄层电阻在20kΩ/□以上，100kΩ/□以下。

7.一种薄膜晶体管，具有配置了沟道区以及在该沟道区两侧的源区和漏区的多晶硅半导体层，在液晶显示器件中用作开关元件，其特征在于：

构成上述液晶显示器件的背光的亮度在2000(cd/m²)以上的场合，在上述源区和上述沟道区之间，或者在上述漏区和上述沟道区之间至少某一方形成杂质浓度低于源区和漏区的低浓度杂质区，并且该低浓度杂质区的长度ΔL在1.0μm以下。

8.一种薄膜晶体管，具有形成了沟道区以及配置在沟道区两侧的源区和漏区，在上述源区和沟道区之间，或者在漏区和沟道区之间至少某一方形成杂质浓度低于源区和漏区的低浓度杂质区的多晶硅半导体层，其特征在于，

当上述低浓度杂质区的长度记作ΔL(μm)，源-漏间电压记作V1c(V)，上述沟道区的沟道宽度记作W(μm)时，式(3)的关系成立：

        ΔL＞(W·V1c)/36···(3)

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于：

当上述沟道区的沟道长度记作L(μm)时，式(4)的关系成立：

        ΔL＜1.5·(W/L)···(4)

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于：

上述沟道区的沟道宽度W(μm)在2μm以下。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于：

上述低浓度杂质区的薄层电阻在20kΩ/□以上，100kΩ/□以下。

12.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于：

上述低浓度杂质区的薄层电阻在20kΩ/□以上，100kΩ/□以下。

13.如权利要11所述的薄膜晶体管，其特征在于：

上述低浓度杂质区仅在漏区和沟道区之间形成。

14.一种液晶显示器件，具有以权利要求1所述的薄膜晶体管作为开关元件的液晶面板部；以及从背面向上述液晶面板部供给光的背光部，其特征在于：

当上述漏区的薄层电阻记作R(kΩ/□)，上述背光部的亮度记作B(cd/m²)，上述沟道区的沟道宽度记作W(μm)时，式(5)的关系成立：

        (R+30)·B·W＜C···(5)

15.如权利要求14所述的液晶显示器件，其特征在于：

当上述漏区的薄层电阻记作R(kΩ/□)，上述背光部的亮度记作B(cd/m²)，上述沟道区的沟道宽度记作W(μm)时，式(6)的关系成立：

        (R+30)·B·W＜1×10⁶···(6)