[发明专利]生产集成电路时由高纯铜电镀形成导体结构的方法有效
| 申请号： | 00802937.7 | 申请日： | 2000-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1137511C | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | H·梅伊尔;A·赛斯 | 申请（专利权）人： | 阿托特德国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴亦华 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及在生产集成电路时在半导体基底(晶片)1的表面上由高纯铜电镀形成导体结构的方法，该半导体基底的表面具有一些凹穴2。该方法包括下列方法步骤：a.在具有凹穴2的半导体基底1的表面上涂以全表面基础金属层，以获得足以进行电解淀积的导电性；b.采用电解金属淀积法，通过将该半导体基底与铜淀积浴接触，在该基础金属层上全表面淀积均匀层厚的铜层3，该铜淀积浴包含至少一种铜离子源、至少一种用以控制该铜层物理-机械性能的添加剂化合物以及Fe(II)和/或Fe(III)化合物，和在该半导体基底和尺寸稳定的、不溶于淀积浴并与其接触的反电极之间施加电压，使电流在该半导体基底1和反电极之间流通；c.将该铜层3结构化。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 集成电路 高纯 电镀 形成 导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.生产集成电路时在具有凹穴的半导体基底表面上由高纯铜电镀形成导体结构的方法，该方法包括下列方法步骤：a.在具有凹穴的半导体基底表面上涂以全表面基础金属层，以获得足以进行电解淀积的导电性；b.采用电解金属淀积法，通过将该半导体基底与铜淀积浴接触，在该基础金属层上全表面淀积具有均匀层厚的铜层，i.该铜淀积浴包含至少一种铜离子源、至少一种用以控制该铜层物理-机械性能的添加剂化合物以及Fe2+和/或Fe3+化合物，和ii.在该半导体基底和尺寸稳定的、不溶于淀积浴并与其接触的反电极之间施加电压，使电流在该半导体基底和反电极之间流通；c.将该铜层结构化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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