[发明专利]黑色矩阵及其制备方法无效
| 申请号： | 00137632.2 | 申请日： | 2000-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1157631C | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 伊凡·英达特尼Z.;彼得洛·谢培利亚维伊E.;卡特琳娜·米塞洛夫斯卡亚V.;朴昌元;李准培;韩勇 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社;伊凡·英达特尼Z.;彼得洛·谢培利亚维伊E.;卡特琳娜·米塞洛夫斯卡亚V. |
| 主分类号： | G02F1/1335 | 分类号： | G02F1/1335;H01J29/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;罗才希 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种为包围显示装置象素的黑色涂层的黑色矩阵及其制造方法，和使用该矩阵显示装置。该黑色矩阵包含电介质材料SiO和至少一种选自铁、钴、钒和钛的金属，具优异的热稳定性和化学稳定性，由于使用无毒材料而为环境友好型。该黑色矩阵无需退火处理即对基材有优异的粘附性，并且由于不存在内应力而具优异的机械性能，并能够制成粒径不大于1μm的微型图案。当应用到显示装置的基材上时，黑色矩阵显示出优异的外部光的吸收效果。因此，可以得到具有改善的照明度和对比度特性的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 黑色 矩阵 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种黑色矩阵，其为包围显示装置的象素的黑色涂层，该黑色矩阵包含电介质材料SiO和至少一种选自铁、钴、钒和钛的金属，其中沿外部光的入射方向，SiO的含量逐渐降低，金属的含量逐渐升高，并且金属和电介质材料的混合物由20～50wt％的电介质材料SiO和50～80wt％的金属组成。
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