[发明专利]晶片切割研磨制作方法无效
| 申请号： | 00133368.2 | 申请日： | 2000-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1163948C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张仕育;陈锦德;蔡文达 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶片切割研磨制作方法，用以去除芯片因切割时所产生的裂缝。其制作方法包括：在晶片的背面粘贴第一贴带；沿芯片间的切割道进行一切割步骤；粘贴第二贴带于晶片的有源表面上后，去除第一贴带；接着，研磨晶片的背面，使晶片达一预定的厚度；最后再粘贴第三贴带于研磨后晶片背面后；去除第二贴带，完成晶片的切割研磨制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 切割 研磨 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片切割研磨制作方法，包括：提供一晶片，该晶片具有一有源表面及一背面，该晶片由多个芯片所组成，该些芯片之间具有一切割道；沿该切割道进行一切割步骤；以及研磨该晶片的该背面，使该晶片达一预定的厚度，其特征在于，进行该切割步骤前还包括在该晶片的该背面粘贴一第一贴带；且在该切割步骤后还包括在该晶片的该有源表面粘贴一第二贴带，且去除该第一贴带，以进行该研磨步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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