[发明专利]具有反向隧穿层的发光二极管有效
| 申请号： | 00132397.0 | 申请日： | 2000-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1159774C | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 欧震;黄兆年;章绢明 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 具有反向隧穿层的发光二极管包含半导体叠层，具有第一主表面与第二主表面的发光层、具有第一导电性且结合在该第一主表面的第一半导体层、及具有第二导电性且结合于该第二主表面的一第二半导体层，该发光层、该第一半导体层、及该第二半导体层共同形成第一方向的极性；n+型反向隧穿层，具有第一导电性且形成在该半导体层叠层上，其与该半导体层叠层间所形成的p-n接面具有第二方向的极性，且该第一方向与该第二方向是相反方向；以及透明导电层，形成在该n+型反向隧穿层上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反向 隧穿层 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种具有反向隧穿层的发光二极管，包含：一个半导体叠层构造，包括具有一第一主表面与一第二主表面的一发光层、具有第一导电性且结合在该第一主表面的一第一半导体层、及具有第二导电性且结合在该第二主表面的一第二半导体层，该发光层、该第一半导体层、及该第二半导体层共同形成一第一方向的极性；一n+型反向隧穿层，其具有第一导电性且形成在该半导体叠层上，其与该半导体叠层间所形成的p-n接面具有第二方向的极性，且该第一方向与该第二方向是相反方向；以及一透明导电层，形成在该n+型反向隧穿层上。
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