[发明专利]磁－电阻性存储器阵列的自测试有效
| 申请号： | 00132356.3 | 申请日： | 2000-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1317797A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | F·A·佩尔纳;K·J·埃尔德雷奇;L·特兰 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24;G11C7/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一批测试电路(106,108,110,112)，其能用来形成一个综合的机内测试系统用于MRAM阵列(102)。该测试电路的组合能够检测MARM阵列的缺陷，包括开路行(209)，短路存储器单元(211)，超越电阻技术规格的存储器单元，和简单的读/写模式误差。机内测试电路包括连接所有行(206)以便测试开路行(209)和短路存储器单元(211)的布线－或电路(216,218)。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 阵列 测试 | ||
【主权项】：
1．一种用于磁-电阻性存储器阵列集成电路的机内自测试系统，包括连接到存储器阵列(102)的位线的第一电阻技术规格测试电路(108,300,400)，用于测试在该存储器阵列中的每个存储器单元(310,410)的电阻，以便确定其电阻是否在预定的上下限内。
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