[发明专利]氮化钆单晶体结晶成长法、氮化钆单晶体基板及其制造方法无效
| 申请号： | 00129013.4 | 申请日： | 2000-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1289865A | 公开（公告）日： | 2001-04-04 |
| 发明（设计）人： | 元木健作;冈久拓司;松本直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40;C30B29/38;H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 范明娥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种制造106cm－2以下低错位GaN单结晶的方法,其特征是气相成长的成长表面不是平面状态,形成具有三维的小面结构,保持小面结构,通过在不埋没小面结构下进行成长,可降低错位,进行单晶体氮化镓的结晶成长。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 单晶体 结晶 成长 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种单晶体GaN的结晶成长方法，特征是，气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，在不埋没小面结构下进行成长，以降低错位。
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