[发明专利]使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程无效
| 申请号： | 00126366.8 | 申请日： | 2000-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1341955A | 公开（公告）日： | 2002-03-27 |
| 发明（设计）人： | 曾令旭;陈铭聪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/28;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 吴蓉军 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种形成栅极的方法,此栅极是一多晶硅化金属栅极。此方法至少包括提供一栅极氧化层在一衬底上。然后,沉积一多晶硅层在栅极氧化层上。接着,进行一氮化工艺形成一粘合层在多晶硅层的表面上。之后,再依序地沉积一阻挡层和一金属硅化物层在粘合层上。最后,进行一微影工艺移除部分的金属硅化物层,阻挡层,粘合层以及多晶硅层以在衬底上形成此多晶硅化金属栅极。以氮化工艺形成的粘合层可有效地加强阻挡层的阻挡效果。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氮化 工艺 多晶 金属 栅极 | ||
【主权项】：
1.一种形成一多晶硅化金属栅极的方法，其特征在于，所述方法至少包括：提供一栅极氧化层在一衬底上；沉积一多晶硅层在所述栅极氧化层上；进行一氮化工艺以形成一粘合层在所述多晶硅层的表面上；沉积一阻挡层在所述粘合层上；沉积一金属硅化物层在所述阻挡层上；以及进行一微影工艺移除部分的所述金属硅化物层，所述阻挡层，所述粘合层以及所述多晶硅层以在所述衬底上形成所述栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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