[发明专利]具有基准电位的集成存储器与这种存储器的运行方法无效
| 申请号： | 00117633.1 | 申请日： | 2000-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1274160A | 公开（公告）日： | 2000-11-22 |
| 发明（设计）人： | T·施拉格尔;Z·曼约基;R·埃斯特尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储器具有控制单元(C1),此控制单元为了生成两个位线(BL1,/BL1)上的共同基准电位(VREF)首先导电地接通两个基准存储单元(RC)的第一开关元件(S1)和选择晶体管(T),并且此控制单元在某个时间间隔(Δt)之后,阻断选择晶体管,而第一开关元件继续导电和平衡两个位线之间的电位差值(2U1)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基准 电位 集成 存储器 这种 运行 方法 | ||
【主权项】：
1.集成存储器-具有沿两个位线(BL1，/BL1)排列的存储单元(MC)，-具有带有各一个选择晶体管(T)的两个基准存储单元(RC)，这些基准存储单元是各自经此选择晶体管与位线(BL1，/BL1)之一连接的，-具有一个第一开关元件(S1)，经此开关元件位线(BL1，/BL1)互相连接，-具有用于在第一基准存储单位(RC)中存储一个第一状态的，和在第二基准存储单元(RC)中存储一个第二状态的一个写入单元(SA)，-具有一个控制单元(C1)，此控制单元为了生成在两个位线(BL1，/BL1)上的一个共同的基准电位(VREF)，首先导电地接通两个基准存储单元(RC)的第一开关元件(S1)和选择晶体管(T)，并且此控制单元在某个时间间隔(Δt)之后阻断选择晶体管，而第一开关元件继续导电和平衡两个位线之间的电位差(2U1)。
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