[发明专利]具有元件分离绝缘膜的半导体装置的制造方法

摘要

一种元件分离绝缘膜的半导体装置的制造方法是在具有形成了多个元件分离氧化膜101和其间的活性区域上的薄氧化膜201的元件区域501和502的半导体基板100表面整个面上形成耐氧化性膜301，元件区域501露出的阻膜401作为掩膜让半导体基板100露出后，形成第1栅极氧化膜，再以元件区域502开口的阻膜为掩膜让半导体基板100露出，形成第2栅极氧化膜。该方法能防止基板上形成不必要的氧化膜、可减低栅极氧化前的蚀刻。

主权项

1.一种具有元件分离绝缘膜的半导体装置的制造方法，其特征是包括由多个元件分离绝缘膜将半导体基板区分为多个元件区域，在所述元件区域形成氧化膜，在半导体基板表面的整个面上形成耐氧化性膜的工序；以使第1元件区域露出的第1阻膜为掩膜，将所述氧化膜以及所述耐氧化性膜蚀刻去除的工序；在所述半导体基板上形成第1栅极氧化膜的工序；以使第2元件区域露出的第2阻膜为掩膜，将所述氧化膜以及所述耐氧化性膜蚀刻去除的工序；在所述半导体基板上形成第2栅极氧化膜的工序。