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- [发明专利]通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品-CN98100416.4有效
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朴在槿;曹圭徹;李坤燮
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三星电子株式会社
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1998-02-13
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1999-02-03
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C30B15/20
- 一种硅锭按一拉晶速率分布下进行,其拉速要足够高以限制间隙凝聚,且还要足够低以便将空位凝聚限定在晶锭轴向上的富含空位区上。将晶锭切割成许多半纯晶片,每个晶片在中央具有富含空位区,包括空位凝聚,和在富含空位区与晶片边缘之间的纯度区,无空位凝聚和间隙凝聚。按照本发明的另一方面,晶锭可按一拉晶速率分布拉制硅锭,其拉速要足够高以便防止间隙凝聚,且还要足够低以便防止空位凝聚。因此,当将该晶锭切割成晶片时,晶片为纯硅晶片,可包含点缺陷,但无空位凝聚团的间隙凝聚团。
- 通过控制分布制造单晶硅晶片方法及其产品
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