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[发明专利]复制用于管理基于云的资源的存储表以抵挡存储账户中断-CN201880016676.6有效
发明人： P·K·帕特尔;K·斯拜亚;Y·穆罕默德;S·塞蒂;王俊 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F9/455 文献下载
摘要：跨多个数据中心复制存储账户，以便抵挡存储账户的中断。前端和应用使用被存储在存储账户中的数据以管理云计算系统的资源。除了由应用用于访问存储账户的接口之外，客户端还包括由前端用于访问存储账户的接口。确保即使头副本或者尾副本故障时读操作也存活的其他特征包括：从头副本而不是从尾副本读取两阶段准备‑提交操作，以将变化从头副本传播到尾副本，以及如果在准备‑提交操作的中间发生故障，则提供后端修复服务。
复制用于管理基于资源存储抵挡账户中断

[发明专利]多租户云计算环境中的更新协调-CN201780037434.0有效
发明人： M·方图拉;M·鲁辛诺维奇;Y·穆罕默德;P·帕特瓦;A·K·查布拉;Z·拉法洛维奇 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06F9/52 文献下载
摘要：协调多租户云的一个或多个区域内的软件更新。使用共享的更新协调器、更新优先级规范和可用性规范来标识和解决租户与租户冲突、租户与基础设施提供者冲突以及安全性与其他优先级之间的冲突。可以将基础设施更新请求呈现给租户以供批准。推迟的基础设施更新的优先级可以更高。防止利用零日漏洞的优先级可以高于满足可用性目标。即使当更新源自独立受控实体时，也可以合并更新以减少停机时间。可以指定最大停机时间、最小故障域、最小虚拟机、允许的更新开始时间和其他可用性标准。更新可以基于其相对优先级而被抢占或允许完成。在协调更新之后，租户和基础设施提供者仍然可以使用其自己的部署引擎。可以检测涉及不利更新批准或不批准的恶意行为。
租户计算环境中的更新协调

[发明专利]分布式计算系统中的可用性管理接口-CN201880016718.6在审
发明人： Y·穆罕默德;王俊;M·F·方图拉;M·E·拉希诺维奇;M·Z·西迪奎;P·帕特瓦;S·D·齐默尔曼;田小雄 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：提供了用于实现可用性管理系统的各种方法和系统，该可用性管理系统用于实现分布式计算系统中的可用性管理。可用性管理系统实现可用性管理器和可用性配置接口，以满足针对租户基础设施的可用性保证。可用性管理系统与可用性分区、计算集群、故障域和升级域一起操作，以基于租户限定的可用性参数将虚拟机实例的虚拟机集分配到分布式计算系统以及解除分配。可用性管理系统的可用性配置接口支持接收可用性参数，该可用性参数被用来生成可用性简档。可用性简档包括可用性参数，可用性参数包括以下配置：与分配虚拟机集相关联的跨越或不跨越、重新平衡、故障域、更新域以及可用性分区。可用性分区向租户暴露为经逻辑限定的可用性分区，该经逻辑限定的可用性分区映射到经物理限定的可用性分区，以用于对可用性分区的抽象实现。
可用性可用性管理可用性参数分区分布式计算系统租户虚拟机可用性简档配置接口故障域基础设施计算集群接口提供解除分配系统实现分配映射抽象关联暴露更新配置平衡升级保证

[发明专利]分布式计算系统中的可用性管理-CN201880016756.1在审
发明人： Y·穆罕默德;王俊;M·F·方图拉;M·E·拉希诺维奇;M·Z·西迪奎;P·帕特瓦;S·D·齐默尔曼;田小雄 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：提供了用于实现可用性管理系统的方法和系统，以用于实现分布式计算系统中的可用性管理。可用性管理系统实现可用性管理器和可用性配置接口，以满足针对租户基础设施的可用性保证。可用性管理系统与可用性分区、计算集群、故障域和升级域一起操作，以基于租户限定的可用性参数来将虚拟机实例的虚拟机集分配到分布式计算系统以及解除分配。可用性管理器被配置为：基于可用性简档，使用分配方案跨可用性分区分配虚拟机集。分配方案是虚拟机集跨越可用性分区分配方案，以用于执行评估以确定用于分配虚拟机集的分配配置，该分配配置跨至少两个可用性分区而被限定。当分配配置满足可用性参数时，分配方案选择用于分配虚拟机集的分配配置。
可用性管理分配可用性虚拟机分布式计算系统分区配置可用性参数租户可用性简档方案选择基础设施计算集群解除分配配置接口系统实现故障域评估升级保证

[发明专利]在半导体上制造外部氧化物或外部氮化物-CN201680022269.7在审
发明人： M·库兹明;P·劳卡宁;Y·穆罕默德;M·图奥米宁;J·达尔;V·图奥米宁;J·米克莱;M·蓬克基宁;K·科科 -专利权人：图尔库大学
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：用于在半导体的衬底(1)上形成外部氧化物或外部氮化物层(6)的方法，包括提供具有氧化的或氮化的表面层(3)的半导体衬底(1)；在该氧化的或氮化的表面层上供给外部元素(5)；以及将该氧化的或氮化的表面层(3)保持于升高的温度，从而分别通过初始存在于该氧化的或氮化的表面层(3)中的氧或氮氧化或氮化至少部分该外部元素。
半导体制造外部氧化物氮化物

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