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[发明专利]用过饱和清洁溶液进行强超声波清洁-CN200480020523.7无效
发明人： C·S·弗兰克林;Y·吴;B·弗雷泽 -专利权人：艾奎昂技术股份有限公司
申请日： 2004-06-10 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：一种用强超声波清洁一个或多个基片同时又能减少了声能对一个或多个基片的破坏的方法和系统。基片可支撑在操作室中，并且与清洁溶液相接触，该清洁溶液包括有二氧化碳溶解在其中的清洁液，二氧化碳溶解在清洁液中的量应使二氧化碳气体在操作室内的环境下处于过饱和状态。然后将强超声波能传输到基片上。清洁溶液保护基片不被声能所破坏。另一方面，本发明提供了一种实施本方法的系统。本发明不限于二氧化碳，也可以与任何其它的气体结合使用，只要这种气体能够溶解在清洁液中，用来保护基片，使其不会因为施加强超声波/声能而被破坏。
过饱和清洁溶液进行超声波

[发明专利]杂芳基脲神经肽YY5受体拮抗剂-CN200610005050.4无效
发明人： A·W·斯塔姆福德;Y·董;S·W·麦克坎比;Y·吴 -专利权人：先灵公司
申请日： 2001-12-17 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明涉及以结构式I表示的化合物或其可药用盐，它们可用于治疗代谢和进食障碍，例如肥胖和摄食过度，并且可用于治疗糖尿病和有关的病症。
杂芳基脲神经肽 yy5 受体拮抗剂

[发明专利]用于大质量内插式卡的保持机构-CN200480008833.7无效
发明人： Y·令;T·D·童;S·诺布尔;Y·吴;D·维利斯;B·希尔;J·林奇;G·谭;C·科特雷尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-02-09 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01R12/18 文献下载
摘要：一种电子系统包括系统板、安装于系统板上的连接器、附连于连接器上的电子卡、以及固定于系统板上并与连接器隔开的导向器，该卡至少在卡的内侧端上伸出连接器，其中导向器适于禁止卡的侧向运动。
用于质量内插保持机构

[发明专利]带有小分子噻吩化合物的装置-CN200510076565.9有效
发明人： B·S·翁;P·刘;M·比劳;Y·吴 -专利权人：施乐公司
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：一种电子装置，包括与一些电极接触的半导体层，其中半导体层包括由多个噻吩单元组成的小分子噻吩化合物，每个噻吩单元如结构(A)所示：（见图）其中每个噻吩单元在环上的第2位或/和第5位键合，其中至少一个噻吩单元的R₁位于环上的第3位或第4位，或者环上的第3位和第4位两处，其中对于任意两个邻近的噻吩单元而言，排除相同或不同R₁同时位于一个噻吩单元的第3位和另一个噻吩单元的第3′位。
带有分子噻吩化合物装置

[发明专利]用于合成微管蛋白抑制剂的中间体的合成方法-CN03825189.2无效
发明人： Y·吴;S·梅加蒂;C·格莱特索斯;J·T·肯达尔;B·K·维尔克;T·帕德马纳坦;P·拉维恩德拉纳特 -专利权人：惠氏控股公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： C07C269/08 文献下载
摘要：本发明为一种制备式(I)化合物的方法：其中R₁、R₂、R₃、R₄和R₅按说明书定义，所述化合物为用于制备用于癌症治疗的微管蛋白抑制剂的中间体。
用于合成微管蛋白抑制剂中间体方法

[发明专利]新的神经肽YY5受体拮抗剂-CN03820627.7无效
发明人： A·W·斯坦福德;Y·吴 -专利权人：先灵公司
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明公开了新的为NPY Y5受体拮抗剂的化合物和制备这些化合物的方法。在另一实施方案中，本发明公开了包含这样的NPY Y5受体拮抗剂的药用组合物以及用这些药用组合物治疗肥胖症、代谢紊乱、饮食障碍如高血脂和糖尿病的方法。
神经肽 yy5 受体拮抗剂

[发明专利]氢助电解法-CN03810890.9无效
发明人： J·徐;M·凯利;G·佩兹;Y·吴;S·夏普－格尔德曼 -专利权人：千年电池公司
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： C25C3/00 文献下载
摘要：还原离子碱金属化合物的方法和电解槽。电解槽含阳电极和阴电极。在给电解槽供应含碱金属化合物的电解液、给电解槽施加一电压以在阴极还原所说的碱金属化合物和将氢或含氢气体至少通入阴极的同时，化合物在阴极被还原。
氢助电解法

[发明专利]用于使位线不会短路的存储器装置的硬掩膜方法-CN03805865.0有效
发明人： J·Y·杨;M·T·拉姆斯贝;白岩英彦;Y·吴;E·林优尼斯;T·卡迈尔 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2003-01-21 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种MirrorBit闪存的制造方法，包含下列步骤：提供一半导体基材(102)(步骤602)以及沉积一电荷陷阱介质层(504)(步骤606)；植入第一及第二位线(512)(步骤608)，并沉积一字线层(515)(步骤610)。在该字线层(515)之上沉积一硬掩膜层(516)(步骤610)。该硬掩膜层(516)是以一可去除但不会损及该电荷陷阱介质层(504)的材料制成。在该字线层(515)之上沉积一光阻(518)，并利用该光阻(518)来形成硬掩膜(519)(步骤618)；去除该光阻(518)(步骤620)，利用该硬掩膜(519)来处理该字线层(515)，以便形成一字线(525至528)。
用于使位线不会短路存储器装置硬掩膜方法

[发明专利]电磁总线耦合-CN03804012.3有效
发明人： Y·吴;J·克里齐罗;K·怀亚特;J·本哈姆;M·那亚罗 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2003-01-30 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H04L25/02 文献下载
摘要：一种连接器被配置成用于数字装置的插入和移除。该连接器具有接触件，它被配置成在将数字装置插入连接器时建立到数字装置上导体的电连接。第一电磁耦合器连接到连接器的至少一个接触件。电磁耦合器被配置成用于在接口处电磁耦合到第二电磁耦合器，该第二电磁耦合器连接到通信总线。
电磁总线耦合

[发明专利]有N－型半导体的设备-CN200410054981.4有效
发明人： B·S·翁;D·K·穆尔蒂;J·M·杜夫;Y·吴 -专利权人：施乐公司
申请日： 2004-07-26 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：包括与多个电极接触的半导体层的电子设备，其中该半导电层包括化合物，其中存在该化合物的下列几何异构体中的一种或两者，其中：对于多环结构部分，n是1，2或3；和R₁和R₂独立地选自烃环和杂环基团，其中R₁和R₂是相同的或不同的烃环，相同的或不同的杂环基团，或R₁和R₂中的一个是烃环，而另一个是杂环基团。
半导体设备

[发明专利]半导体聚合物及其装置-CN200410057862.4有效
发明人： Y·吴;P·刘;L·姜;B·S·翁 -专利权人：施乐公司
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：一种包含亚噻吩基亚芳基聚合物的电子装置，该聚合物含有由至少一个亚噻吩基(I)或(II)链段和至少一个亚芳基(IIIa)、(IIIb)或(IIIc)链段组成的重复链段，其中每个R独立地是烷基或烷氧基侧链；R′是卤素、烷基或烷氧基，a和b代表R链段或基团的数目，并且其中亚芳基链段(IIIa)、(IIIb)和(IIIc)的数目为大约1至大约3。
半导体聚合物及其装置

[发明专利]与物理存储表示无关地同步逻辑视图-CN200410059078.7有效
发明人： Y·吴;S·周;L·诺维克;I·胡迪斯;A·B·沙 -专利权人：微软公司
申请日： 2004-07-26 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：揭示了同步拓扑内复制品上的项目的系统、方法和计算机程序产品。项目储存在复制品上的物理表中。每一复制品上的物理表布局可以不同，但是被映射到公用的逻辑视图。当复制品接收应当执行同步的指示时，该复制品确定是否在应当映射到逻辑视图的复制品上作出变化。复制品能够通过将在物理表中作出的变化的本地变化枚举与对逻辑视图中的变化的同步本地变化枚举相比较来方便这一过程。需要同步的任何变化通过逻辑视图发送到拓扑中的其它复制品。
物理存储表示无关同步逻辑视图

[发明专利]节约打印材料的打印设备和方法-CN97193096.1无效
发明人： M·赖安斯;Y·吴;S·贝赫 -专利权人：奥西－工业股份公司
申请日： 1997-03-12 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G06K15/02 文献下载
摘要：本发明提供一种根据符合于一个预定原始格式的输入图象数据在节约打印材料的同时打印光栅化图象的方法。该方法包括以下逐个步骤：相对于原始格式缩小输入图象；根据缩小比例的图象构成一个图象点的光栅，每个点定义为一个被打印点或一个光栅化图象的空白点；通过用一个预定的填充程序在缩小的光栅中插入空白图象点来放大所说的点的光栅以返回到原始图象；以及根据放大到原始格式的点光栅打印该图象。本发明也提供实现该方法的打印设备。
节约打印材料设备方法

[发明专利]纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件-CN02809601.0有效
发明人： A·马亚姆达;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·杨;S·S·毛;R·E·拉索;H·费克;H·金德;E·R·韦伯;M·黄;H·严;Y·吴;R·范 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
纳米结构制造方法器件

[发明专利]杂芳基脲神经肽YY5受体拮抗剂-CN01821172.0无效
发明人： A·W·斯塔姆福德;Y·董;S·W·麦克坎比;Y·吴 -专利权人：先灵公司
申请日： 2001-12-17 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： A61K31/4523 文献下载
摘要：本发明涉及以结构式I表示的化合物或其可药用盐，它们可用于治疗代谢和进食障碍，例如肥胖和摄食过度，并且可用于治疗糖尿病和有关的病症。
杂芳基脲神经肽 yy5 受体拮抗剂