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[发明专利]微机械压力传感器设备和相应的制造方法-CN201880074037.5有效
发明人： V·森兹;A·丹嫩贝格;J·佛伦茨 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01L19/06 文献下载
摘要：本发明实现一种微机械压力传感器设备和相应的制造方法。微机械压力传感器设备配备有：具有前侧(VS)和后侧(RS)的传感器衬底(SE)；悬挂在传感器衬底(SE)中的压力传感器装置(SB)，其中，第一腔(K1)设置在压力传感器装置(SB)上方，该第一腔通过一个或多个进入开口(Z)朝着所述前侧(VS)露出；一个或多个应力卸载沟(T1、T2)，所述应力卸载沟在横向上围绕所述压力传感器装置(SB)并且形成从所述后侧(RS)朝着所述第一腔(K1)的流体连通；和电路衬底(AS)，所述传感器衬底(SE)的所述后侧(RS)键合到所述电路衬底上，其中，在所述压力传感器装置(SB)下方在所述电路衬底(AS)中构造有第二腔(K2)，该第二腔与所述应力卸载沟(T1、T2)处于流体连通中，并且，其中，在所述压力传感器装置(SB)的周围设置有至少一个通道(ST)，该通道与所述第二腔(K2)处于流体连通中并且向外露出。
微机压力传感器设备相应制造方法

[发明专利]微机械压力传感器-CN201880015292.2有效
发明人： V·森兹;R·毛尔;T·德盖伊;T·弗里德里希;A·丹嫩贝格;F·卢卡奇;H·格鲁茨埃克;F·霍伊克;M·施瓦茨 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-02-21 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械压力传感器(100)，所述微机械压力传感器具有：‑压力传感器芯(10)，该压力传感器芯具有传感器膜片(14)和构造在所述传感器膜片(14)上方的腔(11)；和‑压力传感器框架(20)；其中，‑用于将所述压力传感器芯(10)机械附接到所述压力传感器框架(20)上的弹簧元件(15)这样构造，使得机械稳固性最大化并且从所述压力传感器框架(20)到所述压力传感器芯(10)上的应力耦入最小化。
微机压力传感器

[发明专利]微机械设备和用于制造微机械设备的方法-CN201880062680.6有效
发明人： V·森兹;T·弗里德里希;F·霍伊克;M·施瓦茨 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械设备(1a；1b；1c)，该微机械设备具有载体衬底(2)；传感器装置(3)，该传感器装置与所述载体衬底(2)的表面区段(4)间隔开地借助于弹簧元件(9)布置在所述载体衬底(2)处，使得所述传感器装置(3)能够相对于所述表面区段(4)振动；和至少一个布置在所述传感器装置(3)和/或所述载体衬底(2)的所述表面区段(4)处的停止器元件(51、52)，该停止器元件限制所述传感器装置(3)朝着所述表面区段(4)的方向的偏移。
微机设备用于制造方法

[发明专利]传感器装置和用于制造传感器装置的方法-CN202080028172.3在审
发明人： H·阿尔特曼;V·森兹;T·弗里德里希;C·赫尔梅斯;P·施莫尔林格鲁贝尔;H·韦伯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明实现一种传感器装置(1)，包括：衬底(2)；在衬底上的至少一个电气绝缘层(30、31)；边缘结构(RS)，该边缘结构设置在该至少一个电气绝缘层(30、31)上且在衬底(2)之上限制内部区域(IB)；隔膜(3)，该隔膜锚定在边缘结构(RS)上且至少部分跨越内部区域(IB)，其中隔膜(3)在内部区域(IB)中包括通过压力(p)可动的区域(BB)；第一中间载体(ZT1)，该第一中间载体在可动的区域(BB)中在隔膜(3)之下延伸且与隔膜(3)通过接触部位(KS)电气和机械连接且包括至少一个间隔元件(3a)，该间隔元件由中间载体(ZT1)朝衬底(2)的方向延伸；以及在该至少一个电气绝缘层(30、31)上的第一对应电极(E1)，其中该第一对应电极(E1)在中间载体(ZT1)之下延伸，且其中在中间载体(ZT1)与第一对应电极(E1)之间的第一间隔(d12)通过到可动的区域(BB)上的压力(p)是可改变的；且其中第一对应电极(E1)在中间载体(ZT1)之下包括至少一个电气隔离的区域(EB)，该电气隔离的区域设置在间隔元件(3a)之下且具有间隔元件(3a)的至少一个横向扩展。
传感器装置用于制造方法

[发明专利]用于电容式压力传感器设备的微机械构件-CN201980085192.1在审
发明人： H·阿尔特曼;V·森兹;T·弗里德里希;C·赫尔梅斯;P·施莫尔林格鲁贝尔;H·韦伯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电容式压力传感器设备的微机械构件，所述微机械构件具有膜片，所述膜片借助框架结构(12)如此展开，使得所述膜片(18)的自支承区域(20)跨越所包围的部分表面(16)，所述微机械构件还具有加固结构(22)，所述加固结构构造在所述自支承区域(20)上，其中，能够定义平行于所包围的部分表面(16)取向的第一空间方向(x)，在所述第一空间方向上，所述自支承区域(20)具有最小延伸(I1)，并且能够定义平行于所包围的部分表面(16)且垂直于所述第一空间方向(x)取向的第二空间方向(y)，在所述第二空间方向上，所述自支承区域(20)具有更大的延伸(I2)，其中，所述加固结构(22)以在所述第一空间方向(x)上相对于所述框架结构(12)隔开第一间距(a1)且在所述第二空间方向(y)上隔开第二间距(a2)的形式存在，其中，所述第二间距(a2)大于所述第一间距(a1)。
用于电容压力传感器设备微机构件

[发明专利]用于建立晶片连接的方法-CN201980065389.9在审
发明人： V·森兹;T·弗里德里希;F·霍伊克;P·施莫尔林格鲁贝尔;F·罗尔夫林;J·托马斯科 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在第一晶片和第二晶片之间建立晶片连接的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供第一材料和第二材料以形成共晶合金，‑提供第一晶片，该第一晶片具有用于凸模结构的接收结构，‑用所述第一材料填充所述接收结构，‑提供具有凸模结构的第二晶片，其中，在所述凸模结构上布置所述第二材料，‑提供在第一晶片和/或第二晶片上的止挡结构，使得在这两个晶片接合时提供限定的止挡，‑至少将所述第一材料和第二材料至少加热到所述共晶合金的共晶温度，‑将所述第一晶片和第二晶片接合，使得所述凸模结构至少部分地插入到所述接收结构中，其中，确定所述止挡结构、所述接收结构、所述凸模结构的尺寸以及第一材料和第二材料的量，使得在这两个晶片接合之后，这两个材料的共晶合金保留在所述接收结构内并且所述凸模结构至少部分被所述共晶合金包围。
用于建立晶片连接方法

[发明专利]在MEMS元件和ASIC元件上的键合结构-CN201980022934.6在审
发明人： V·森兹;T·弗里德里希;F·霍伊克;P·施莫尔林格鲁贝尔;M·施瓦茨;J·托马斯科 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：MEMS元件(100)，具有：‑衬底(10)；‑布置在所述衬底(10)上的第一钝化层(20)；‑布置在所述第一钝化层(20)上的金属层(30)；‑在所述金属层(30)上并且在所述第一钝化层(20)上布置的第二钝化层(40)；和‑凸模元件(60)，其中，在所述凸模元件(60)上并且在所述第二钝化层(40)上布置有能导电的扩散阻隔层(50)，其中，在所述凸模元件(60)上布置有第一键合元件(70)。
mems 元件 asic 结构

[发明专利]用于电容式传感器设备的微机械构件-CN202010284231.5在审
发明人： C·纳格尔;H·阿特曼;V·森兹 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于电容式传感器设备的微机械构件，其具有衬底(10)；由直接或间接布置在衬底(10)上的第一半导体层和/或金属层(16)形成的固定的第一电极(12)；和相对于第一电极(12)能调节的借助膜片(22)悬置在第一电极(12)上方的第二电极(14)，至少第二电极(14)由第二半导体层和/或金属层(24)形成，第二半导体层和/或金属层布置在第一半导体层和/或金属层(16)的离开衬底(10)指向的侧上，盖装置(26)覆盖膜片(22)，盖装置(26)由第三半导体层和/或金属层(28)形成，其布置在第二半导体层和/或金属层(24)的离开衬底(10)指向的侧上。本发明也涉及电容式传感器设备和用于微机械构件和电容式传感器设备的制造方法。
用于电容传感器设备微机构件

[发明专利]用于电容式压力传感器设备的微机械构件-CN201911323229.8在审
发明人： T·弗里德里希;C·赫尔梅斯;H·阿特曼;H·韦伯;P·施莫尔格鲁贝尔;V·森兹 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电容式压力传感器设备的微机械构件，具有：衬底(10)；框围部分表面(16)的框架结构(12)；膜片(18)，其借助框架结构(12)如此展开，使得膜片(18)的无支承的区域(20)跨越所框围的部分表面(16)，其中存在参考压力(p0)的内部容积(22)气密密封，通过在无支承的区域(20)的外侧(20a)上的物理压力(p)不等于参考压力(p0)，膜片(18)的无支承的区域(20)可变形；测量电极(24)，其布置在所框围的部分表面(16)上，除所述测量电极(24)外参考测量电极(26)布置在所框围的部分表面(16)上，参考测量电极与测量电极(24)电隔离。本发明还涉及一种用于制造电容式压力传感器设备的微机械构件的制造方法。
用于电容压力传感器设备微机构件

[发明专利]磁传感器装置和用于磁传感器装置的制造方法-CN201480060663.0有效
发明人： T·锡南奥卢;S·真科尔;C·保陶克;A·布赖特林;A·丹嫩贝格;V·森兹 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁传感器装置，其具有：沿第一中心纵轴线(10)取向的、具有至少一个第一线圈(18)的第一磁芯结构(12)，和具有至少一个第二线圈(20)的第二磁芯结构(16)，其中，该第二磁芯结构(16)从该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)沿第二中心纵轴线(14)延伸至该第二磁芯结构(16)的第二端部面(16b)，其中，所述第二中心纵轴线(14)位于一与所述第一中心纵轴线(10)垂直地取向的平面内，并且其中，所述第二磁芯结构(16)相对于所述第一磁芯结构(12)这样布置，使得该第二磁芯结构(16)的第一端部面(16a)相对于该第一磁芯结构(12)的第一重心(S1)的间距(a1，a2)小于该第一磁芯结构(12)沿该第一中心纵轴线(10)的最大延伸(L1)的20％。此外，本发明涉及用于该磁传感器装置的制造方法。
传感器装置用于制造方法

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