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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]MEMS器件及其形成方法和形成叉指式电容电极结构的方法-CN201810845999.8有效
发明人： S·普雷格尔;U·鲁道夫 -专利权人：英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开提供了在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移。一种用于形成MEMS器件的方法可以包括：执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于单晶硅衬底的顶面第一深度处形成腔体；在单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域，电绝缘区域相对于单晶硅衬底的顶面延伸到小于第一深度的第二深度；以及蚀刻单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙，其中第二电极在第一深度区域内与第一电极分开由电绝缘区域和间隙限定的第一距离，并且其中第二电极在第二深度区域内与第一电极分开由间隙限定的第二距离。
mems 器件及其形成方法叉指式电容电极结构

[发明专利]支撑装置、具有支撑装置的组件和用于构造具有支撑装置的组件的方法-CN201880044285.5有效
发明人： U·鲁道夫;S·德尔哈尔特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： F16C35/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于接收用于支承轴(1)的两个轴承(12,14)的支撑装置(10)，具有支撑装置的第一元件(31)，所述第一元件具有用于第一轴承的第一轴承接收部(50)，并且具有支撑装置的第二元件(32)，所述第二元件具有用于接收第二轴承的第二轴承接收部(52)，其中，在所述两个元件(31,32)之间构成至少一个相对于纵轴线(2)以倾斜角度(alpha)布置的第一接触区域(43)和相对于纵轴线以直角布置的第二接触区域(48)，其中，所述两个元件可以彼此固定，并且，在所述两个元件处于固定状态时在所述元件之间在第一接触区域中形成弹性预紧力。
支撑装置具有组件用于构造方法

[发明专利]用于有爆炸危险的区域的数据缆线-CN201880039635.9有效
发明人： U·鲁道夫;M·斯特拉特曼;B·恩格勒 -专利权人：莱尼电缆有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01B7/285 文献下载
摘要：本发明涉及一种数据缆线。所述数据缆线的一个实施例具有至少一对导线和包覆该至少一对导线的缆线护套。所述至少一对导线具有在所述数据缆线的纵向上绞合在一起的两根导线。所述至少一对导线与所述缆线护套之间的空腔至少部分地填充有填充物。填充物的粘度使其粘附在该数据缆线中，所采用的粘附方式使得，当该数据缆线的一端与另一端之间存在规定压力差时，该填充物至少几乎完全地保留在该数据缆线中。
用于爆炸危险区域数据缆线

[发明专利]具有发光元件的缆线-CN201980033733.6在审
发明人： U·鲁道夫;M·斯特拉特曼 -专利权人：莱尼电缆有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有发光元件的缆线。缆线的示例性实施例除了发光元件之外还具有缆芯，该缆芯包括至少一个缆线结构元件。缆线还具有反射层，该反射层沿相对于缆线的缆线轴线的切向方向至少部分地围绕缆芯，并且被设计成反射由发光元件发射的光。缆线还具有护套，该护套被设计成基本上在切向方向上围绕缆芯传导由发光元件发射的光，并且基本上在相对于缆线轴线的径向方向上耦合输出所述光。反射层的反射率沿切向方向变化。
具有发光元件缆线

[发明专利]晶片、用于处理晶片的方法、以及用于处理载体的方法-CN201510222369.1在审
发明人： T·考茨施;A·塞瑞;S·比塞尔特;U·鲁道夫;M·米勒;B·宾德 -专利权人：英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及晶片、用于处理晶片的方法、以及用于处理载体的方法。根据各个实施例，用于处理晶片的方法可以包括：在晶片内形成至少一个中空腔室和支撑结构，该至少一个中空腔室限定了载体的位于该至少一个中空腔室之上的帽区域、载体的位于该至少一个中空腔室之下的底部区域、以及围绕了载体的帽区域的边缘区域，其中帽区域的表面面积大于边缘区域的表面面积，并且其中帽区域由支撑结构连接至底部区域；从底部区域和边缘区域成一整块地移除帽区域。
晶片用于处理方法以及载体

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