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- [发明专利]光学系统和用于操作光学系统的方法-CN202180088266.4在审
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A·迪劳夫;T·格鲁纳;N·贝尔;T·蒙兹;P·比特纳
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卡尔蔡司SMT有限责任公司
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2021-11-29
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2023-09-29
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G02B7/18
- 本发明涉及一种光学系统和一种用于操作光学系统的方法，特别是微光刻投射曝光设备中的光学系统。根据本发明的一个方面，一种光学系统包括：至少一个具有光学有效表面(101、201、301、401、501、601)和反射镜基板(110、210、310、410、510、610)的反射镜(100、200、300、400、500、600)；多个温度调节区(131‑136、141‑146、231‑236、241‑246、331‑336、341‑346、431、441‑446、531‑536、541、631、641)，布置在该反射镜基板中；以及温度调节装置(150、250、350、450、550、650)，可以通过该温度调节装置彼此独立地调节存在于每个温度调节区中的温度，所述温度调节区布置在距光学有效表面不同距离处的至少两个平面中，并且所述至少两个平面中的温度调节区被配置为冷却通道，处于可变可调节的冷却流体温度的冷却流体能够彼此独立地流过该冷却通道。
- 光学系统用于操作方法
- [发明专利]设置投射曝光系统的方法、投射曝光方法以及用于微光刻的投射曝光系统-CN202180091123.9在审
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E·施奈德;T·格鲁纳;T·图多罗夫斯基
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卡尔蔡司SMT有限责任公司;ASML荷兰公司
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2021-01-19
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2023-09-05
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G03F7/20
- 在一种设置用于以图案的至少一个图像曝光辐射敏感衬底的投射曝光系统的方法中，该投射曝光系统包括：照明系统(ILL)，其被配置为在照明场中生成被引导到图案上的照明辐射(ILR)；投射镜头(PO)，其包括多个光学元件，该光学元件被配置为用投射辐射将位于照明场中的图案的一部分投射到衬底处的像场上；测量系统(MS)，其能够测量投射辐射的至少一个属性，该属性代表分布在像场中的多个间隔开的测量点处的像差水平；以及操作控制系统，其包括至少一个操纵器，该操纵器操作地连接至投射曝光系统的光学元件，以基于由测量系统生成的测量结果来修改投射曝光系统的成像特性。该方法包括：在测量点分布计算(MPDC)中确定测量点分布的步骤，该测量点分布定义了待在测量中使用的测量点的数量和位置，其中测量点分布计算(MPDC)在边界条件下执行，该边界条件至少代表：(i)操作控制系统的操纵能力；(ii)测量系统的测量能力；以及(iii)预定义的用例场景，其定义了代表性用例集，其中每个用例对应于由投射曝光系统在预定义的使用条件集下生成的特定像差图案。
- 设置投射曝光系统方法以及用于微光
- [发明专利]光学元件的支撑-CN202180069901.4在审
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T·格鲁纳;J·哈特杰斯
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卡尔蔡司SMT有限责任公司
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2021-10-12
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2023-06-30
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G02B7/185
- 本发明涉及一种用于微光刻的成像设备的光学布置结构，该光学布置结构尤其用于使用极紫外范围(EUV)内的光，所述光学布置结构具有用于保持光学元件(M3)的保持装置(109)。保持装置(109)具有至少一个保持元件(110)，其中，该保持元件(110)具有第一接口区段(110.1)和第二接口区段(110.2)。第一接口区段(110.1)构成第一接口(IF1)，所述至少一个保持元件(110)在安装状态下通过该第一接口与光学元件连接。第二接口区段(110.2)构成第二接口(IF2)，保持元件(110)在安装状态下通过该第二接口与尤其是主动的支持单元(104.2)连接，该支持单元将光学元件(109)与支持结构连接，以便通过支持力将光学元件(M3)支撑在支持结构上。保持装置(109)包括促动器装置(111)，其中，该促动器装置(111)在第一接口(IF1)和第二接口(IF2)之间作用在保持元件(110)上。促动器装置(111)配置用于，在控制装置(106)的控制下如此对保持元件(110)起作用，使得在第一接口(IF1)上调节形成能预设的接口变形和/或能预设的、对光学元件(M3)起作用的接口力分布。
- 光学元件支撑
- [发明专利]光学系统与操作光学系统的方法-CN202080104310.1在审
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T·格鲁纳;N·巴尔;K·范伯克尔;L·J·A·范博克霍文;M·洛伦兹;T·蒙兹;E·施奈德;H-M·斯蒂潘;B·斯特里夫柯克;A·迪劳夫
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卡尔蔡司SMT有限责任公司;ASML荷兰公司
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2020-08-07
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2023-06-23
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G03F7/20
- 本发明关于光学系统，特别是用于微光刻，且本发明关于用以操作光学系统的方法。根据本发明一方面，光学系统包含：至少一个反射镜(100,500,600)，其具有光学有效表面(101,501,601)以及反射镜基板(110,510,610)，其中冷却流体能够流动于其中的至少一个冷却通道(115,515,615)配置在反射镜基板中，以消散由于吸收了从光源入射在光学有效表面上的电磁辐射而在反射镜基板中产生的热；以及调整单元(135,535,635)，用以根据将反射镜基板中热负载特征化的测量量值或根据在光源的给定功率下在反射镜基板中所预期的估计热负载，来调整冷却流体的温度和/或流速。
- 光学系统操作方法
- [发明专利]反射镜、特别是用于微光刻投射曝光设备的反射镜-CN202080104190.5在审
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T·格鲁纳;N·巴尔;K·范伯克尔;L·J·A·范博克霍文;M·洛伦兹;T·蒙兹;E·施奈德;H-M·斯蒂潘;B·斯特里夫柯克
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卡尔蔡司SMT有限责任公司;ASML荷兰公司
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2020-08-07
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2023-04-21
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G03F7/20
- 本发明关于反射镜，特别是用于微光刻投射曝光设备。本发明的反射镜具有光学有效表面(101,201,301)；反射镜基板(110,210,310,410)；反射层系统(120,220,320)，其用以反射入射在光学有效表面(101,201,301)上的电磁辐射；至少一个致动器层，其配置为在反射层系统(120,220,320)上传输可调整机械力，由此产生光学有效表面(101,201,301)的局部可变变形；以及至少一个冷却装置，其配置为至少部分地消散由该致动器层所产生的热。
- 反射特别是用于微光投射曝光设备
- [发明专利]投影曝光方法和投影曝光系统-CN200780035496.4有效
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J·卡勒;T·格鲁纳
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卡尔蔡司SMT股份公司
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2007-09-19
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2009-08-26
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G03F7/20
- 在一种投影曝光的方法中，具有中心波长λ的初级辐射被产生并且被引导沿照明路径通过照明系统并且沿投影路径通过投影系统。该中心波长在波长的变化范围Δλ内变化，该波长变化范围Δλ具有下限λMIN≤λ和上限λMAX＞λ。至少一个气体吸收物的特定吸收系数k(λ)在最小吸收系数kMIN和最大吸收系数kMAX之间变化，以致吸收比(kMAX/kMIN)超过10，该至少一个气体吸收物从包含氧气(O2)，臭氧(O3)和水汽(H2O)的组中选择，而且存在于沿着照明路径和投影路径的至少一个的至少一个充有气体的空间中。该充有气体的空间内的吸收物的浓度被控制为使得该吸收物对所有沿着不同的光线路径朝像场行进的光线所造成的总的吸收变化被保持在预定吸收变化阈值之下。
- 投影曝光方法系统
- [发明专利]用于校正图像变化的方法和系统-CN200780031539.1有效
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O·康拉迪;T·格鲁纳
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卡尔蔡司SMT股份公司
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2007-08-25
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2009-08-12
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G03F7/20
- 本发明涉及一种用于补偿光学系统中、特别是微光刻系统的投影透镜阵列(3)中强度分布所致成像误差的方法，该方法包括以下步骤：确定光学系统的至少一个光学元件中与位置和时间有关的强度分布；确定已经为之确定强度分布的至少光学元件中与位置和/或时间有关的吸收能量；确定光学元件由所述能量造成的变形和/或光学属性变化；以及根据先前步骤的结果来选择一个或者多个补偿措施。并且本发明涉及一种用于对物体、特别是用于微光刻的投影透镜进行成像的光学系统，该光学系统优选地用于将所述的方法与至少一个、优选为多个光学元件(4，5)一起应用，其中为强度测量提供可以位于光路中的至少一个图像检测器(6，7)，该检测器直接地测量光学系统的光路中的位置和/或时间分解强度分布。
- 用于校正图像变化方法系统
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