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[发明专利]具有字级功率门控的存储器-CN201310148193.0有效
发明人：杨家南;M·W·杰顿;T·W·里斯顿 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G06F1/26 文献下载
摘要：根据至少一个实施例，提供了字级存储器功率门控。根据至少一个实施例，一种通过添加额外控制位到存储器阵列的每个子阵列（例如，每一个字、每一行、每一字线、每一位线、阵列的每一部分等等）而实现的字级功率门控技术，为存储器阵列提供了细粒度的功率降低。根据至少一个实施例，给每个子阵列（例如，每一个字、每一行、每一字线、每一位线、阵列的每一部分等等）提供门控晶体管。
具有功率门控存储器

[发明专利]半导体器件的单粒子闭锁预防技术-CN201310320678.3在审
发明人：杨家南;J·D·伯纳特;B·J·佳尼;T·W·里斯顿;H·V·范 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：发明涉及半导体器件的单粒子闭锁预防技术。处理半导体器件中的单粒子闭锁(SEL)的技术包括确定寄生硅控整流器(SCR)（500）在半导体器件的集成电路设计中的位置。在这种情况下，寄生SCR（500）包括寄生pnp双极结晶体管(BJT)和寄生npn BJT。该技术也包括将位于第一电源节点（VDD）和寄生pnp BJT的发射极之间的第一晶体管合并到集成电路设计中。第一晶体管(502)包括耦合到第一电源节点（VDD）的第一端子，耦合到寄生pnp BJT的发射极的第二端子，以及控制端子。第一晶体管(502)不位于pnp BJT的基极和第一电源节点之间。第一晶体管限定在SEL之后由寄生pnp BJT传导的电流。
半导体器件粒子闭锁预防技术

[发明专利]具有电平转换字线驱动器的存储器及其方法-CN200780017610.0有效
发明人： T·W·里斯顿;S·P·乔德休里-纳格尔;P·H·佩雷三世 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：一种存储器(102)，包括包含多个字线的位单元阵列(120)和具有提供预解码值的输出端的地址解码电路(116)。地址解码电路(116)包括具有第一栅极氧化物厚度的第一组晶体管。存储器(102)还包括字线驱动电路(118)，字线驱动电路具有耦合到地址解码电路(116)的输出端的输入端以及多个输出端，每个输出端耦合到所述多个字线的相应字线。字线驱动器包括具有大于第一栅极氧化物厚度的第二栅极氧化物厚度的第二组晶体管。还提供了使所述存储器工作的方法。
具有电平转换驱动器存储器及其方法