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[发明专利]具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法-CN201910304457.4有效
发明人： T·甘尼;S·拉蒂夫;C·D·穆纳辛格 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法。描述了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件和制造具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件的方法。例如，制造半导体结构的方法包括：在半导体衬底之上形成多个半导体鳍片。在半导体衬底之上与多个半导体鳍片共形地形成固态掺杂剂源层。在固态掺杂剂源层之上形成电介质层。使电介质层和固态掺杂剂源层凹入至在多个半导体鳍片的顶面之下的相同水平，由此暴露在多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域之上的多个半导体鳍片的每一个的突出部分。该方法还包括：将来自固态掺杂剂源层的掺杂剂推进到多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域。
具有掺杂子鳍片区域平面半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有电介质或导电脊的叉片式晶体管-CN202110966536.9在审
发明人：成承训;黃政颖;M·拉多萨夫耶维奇;C·M·诺伊曼;S·戈斯;V·米什拉;C·韦伯;S·M·西;T·甘尼;J·T·卡瓦利罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本文中公开的实施例包括具有电介质或导电脊的叉片式晶体管器件。例如，集成电路结构包括电介质脊。第一晶体管器件包括与电介质脊的第一边缘间隔开的半导体沟道的第一垂直堆叠。第二晶体管器件包括与电介质脊的第二边缘间隔开的半导体沟道的第二垂直堆叠。N型栅极结构处于半导体沟道的第一垂直堆叠上，N型栅极结构的一部分横向地处于电介质脊的第一边缘与半导体沟道的第一垂直堆叠之间并且与它们接触。P型栅极结构处于半导体沟道的第二垂直堆叠上，P型栅极结构的一部分横向地处于电介质脊的第二边缘与半导体沟道的第二垂直堆叠之间并且与它们接触。
具有电介质导电叉片式晶体管

[发明专利]具有相邻岛结构的环栅集成电路结构的制造-CN202110948180.6在审
发明人： L·P·古勒;W·徐;B·古哈;M·维斯;A·达;W·T·布兰顿;J·H·伊尔比四世;J·F·邦迪;M·K·哈珀;C·H·华莱士;T·甘尼;B·A·萨米尔;S·迪克特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本公开涉及具有相邻岛结构的环栅集成电路结构的制造。描述了具有相邻岛结构的环栅集成电路结构。例如，一种集成电路结构包括：半导体衬底上的半导体岛。水平纳米线的第一垂直布置在从半导体衬底突出的第一鳍片上方。水平纳米线的第一垂直布置的沟道区与鳍片电隔离。水平纳米线的第二垂直布置在从半导体衬底突出的第二鳍片上方。水平纳米线的第二垂直布置的沟道区与第二鳍片电隔离。半导体岛在水平纳米线的第一垂直布置和水平纳米线的第二垂直布置之间。
具有相邻结构集成电路制造

[发明专利]具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法-CN201710076353.3有效
发明人： T·甘尼;S·拉蒂夫;C·D·穆纳辛格 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法。描述了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件和制造具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件的方法。例如，制造半导体结构的方法包括：在半导体衬底之上形成多个半导体鳍片。在半导体衬底之上与多个半导体鳍片共形地形成固态掺杂剂源层。在固态掺杂剂源层之上形成电介质层。使电介质层和固态掺杂剂源层凹入至在多个半导体鳍片的顶面之下的相同水平，由此暴露在多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域之上的多个半导体鳍片的每一个的突出部分。该方法还包括：将来自固态掺杂剂源层的掺杂剂推进到多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域。
具有掺杂子鳍片区域平面半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法-CN202010980330.7在审
发明人： T·甘尼;S·拉蒂夫;C·D·穆纳辛格 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请公开了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法。描述了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件和制造具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件的方法。例如，制造半导体结构的方法包括：在半导体衬底之上形成多个半导体鳍片。在半导体衬底之上与多个半导体鳍片共形地形成固态掺杂剂源层。在固态掺杂剂源层之上形成电介质层。使电介质层和固态掺杂剂源层凹入至在多个半导体鳍片的顶面之下的相同水平，由此暴露在多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域之上的多个半导体鳍片的每一个的突出部分。该方法还包括：将来自固态掺杂剂源层的掺杂剂推进到多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域。
具有掺杂子鳍片区域平面半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法-CN201380076785.4有效
发明人： T·甘尼;S·拉蒂夫;C·D·穆纳辛格 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：描述了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件和制造具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件的方法。例如，制造半导体结构的方法包括：在半导体衬底之上形成多个半导体鳍片。在半导体衬底之上与多个半导体鳍片共形地形成固态掺杂剂源层。在固态掺杂剂源层之上形成电介质层。使电介质层和固态掺杂剂源层凹入至在多个半导体鳍片的顶面之下的相同水平，由此暴露在多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域之上的多个半导体鳍片的每一个的突出部分。该方法还包括：将来自固态掺杂剂源层的掺杂剂推进到多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域。
具有掺杂子鳍片区域平面半导体器件及其制造方法

[发明专利]穿过沟槽的选择性锗P接触金属化-CN201610088996.5有效
发明人： G·A·格拉斯;A·S·莫西;T·甘尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本申请涉及穿过沟槽的选择性锗P接触金属化，公开了用于形成相对于常规器件具有减小的寄生接触电阻的晶体管器件的技术。这些技术例如可利用标准接触叠层(诸如硅或硅锗(SiGe)源/漏区上的一系列金属)来实现。根据这样的实施例的一个示例，在源/漏和接触金属之间设置中间硼掺杂锗层以显著减小接触电阻。根据本公开，许多晶体管配置和合适的制造工艺将显而易见，包括平面和非平面的晶体管结构(例如FinFET)以及应变和非应变的沟道结构。可使用渐变缓冲来减小失配位错。这些技术尤其适用于实现p型器件，但在需要时也可用于n型器件。
穿过沟槽选择性接触金属化

[发明专利]穿过沟槽的选择性锗P接触金属化-CN201180061440.2有效
发明人： G·A·格拉斯;A·S·莫西;T·甘尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了用于形成相对于常规器件具有减小的寄生接触电阻的晶体管器件的技术。这些技术例如可利用标准接触叠层（诸如硅或硅锗（SiGe）源/漏区上的一系列金属）来实现。根据这样的实施例的一个示例，在源/漏和接触金属之间设置中间硼掺杂锗层以显著减小接触电阻。根据本公开，许多晶体管配置和合适的制造工艺将显而易见，包括平面和非平面的晶体管结构（例如FinFET）以及应变和非应变的沟道结构。可使用渐变缓冲来减小失配位错。这些技术尤其适用于实现p型器件，但在需要时也可用于n型器件。
穿过沟槽选择性接触金属化

[发明专利]使用脉冲的电磁场治疗来调节骨软骨发育的方法-CN200680028374.8有效
发明人： J·W·科隆博格;T·甘尼;S·L·戈尔顿 -专利权人：康奥尼斯有限公司
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： A61N1/00 文献下载
摘要：本发明提供了用于调节骨、软骨、或其它结缔组织的生长、发育和修复的组合物和方法。还提供了装置和刺激波形，以不同地调节成骨细胞、软骨细胞、和其它结缔组织细胞的行为，从而促进体外或体内应用的增殖、分化、基质形成或矿化。可以使用具有电荷平衡的信号的连续模式和脉冲段模式的细胞刺激。骨、软骨、和其它结缔组织生长通过经由电刺激释放一氧化氮而被部分地刺激，并且可以通过同时供给NO供体和NO合酶抑制剂来调节。骨、软骨和其它结缔组织生长通过响应促进细胞分化的电刺激释放BMP－2和BMP－7而被部分地刺激。所述方法和装置对促进骨折修复、软骨和结缔组织修复、以及对用于移植的工程组织都是有用的。
使用脉冲电磁场治疗调节软骨发育方法

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