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[发明专利]抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法-CN202011179547.4有效
发明人：郑恩先;尹钟旭;尹晟勋;徐章源 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法。根据一个实施方案的抛光垫可调节存在于抛光层中的元素的含量，从而控制抛光垫与抛光颗粒之间的结合强度，并增加抛光颗粒和半导体衬底之间的结合强度，从而提高抛光速率。不仅可以提高抛光垫的机械性能，例如硬度、拉伸强度、伸长率和模量，而且可以提高钨层或氧化层的抛光速率。因此，可以使用抛光垫有效地制造高质量的半导体器件。
抛光制备方法使用半导体器件

[发明专利]抛光垫及其制造方法和利用其的半导体器件的制造方法-CN202011253564.8有效
发明人：许惠暎;尹钟旭;甄明玉;徐章源 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光垫及其制造方法和利用其的半导体器件的制造方法。根据本发明的抛光垫，通过将气孔区域和非气孔区域的模量平均值调节为0.5GPa至1.6GPa，从而实现抛光垫的优异的寿命特性，而且可以改善在半导体衬底的表面上出现的划痕和表面缺陷，还可以进一步提高抛光速率。
抛光及其制造方法利用半导体器件

[发明专利]交联度可被调节的抛光垫及其制备方法-CN202011179552.5有效
发明人：尹钟旭;郑恩先;徐章源 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C08G18/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种交联度可被调节的抛光垫及其制备方法。根据一个实施方案的抛光垫包含多官能团的低分子量化合物作为构成抛光层的聚氨酯类树脂的聚合单元之一，从而在生产过程中减少了未反应的二异氰酸酯单体，从而提高了可加工性和质量，并增加交联度。因此，可以将抛光垫应用于包含CMP工艺的半导体器件的制备工艺中，以提供具有优良品质的半导体器件，例如晶圆。
交联度可被调节抛光及其制备方法

[发明专利]空白掩模、空白掩模成膜装置及空白掩模的制造方法-CN202211472819.9在审
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;金泰完;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本实施方式提供一种空白掩模和与其相关的成膜装置，上述空白掩模包括：透光基板，遮光膜，设置在上述透光基板上，以及相移膜，设置在上述透光基板和上述遮光膜之间；上述空白掩模包括：中心测定区域，以上述遮光膜的中心为基准，以及边缘测定区域与上述遮光膜的边缘相距20mm，上述中心测定区域和边缘测定区域分别为边长为20μm的正方形，上述空白掩模具有在上述中心测定区域测定的中心Rz粗糙度，上述空白掩模具有在上述边缘测定区域测定的边缘Rz粗糙度，由下述第1‑1式表示的Rz粗糙度不均匀度为20％以下：第1‑1式：Rz粗糙度不均匀度＝(中心Rz粗糙度与边缘Rz粗糙度之差的绝对值/中心Rz粗糙度)×100％。
空白掩模成膜装置制造方法

[发明专利]层叠体的制造方法及层叠体-CN202211523497.6在审
发明人：金泰完;李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本实施方式涉及层叠体的制造方法及层叠体等，层叠体的制造方法包括：准备步骤，准备处理对象，处理对象是设置有遮光膜的处理前的层叠体，以及碳酸水清洗步骤，通过针对处理对象适用施加紫外线和碳酸水的碳酸水清洗过程来准备清洗过的层叠体；其中，遮光膜包含过渡金属，还包含氧、氮或碳，层叠体具有用离子色谱法测定的残留离子含量，残留离子包括硫基离子和硝酸基离子，硫基离子含量大于0ng/cm2且小于等于0.1ng/cm2，硝酸基离子的含量大于0ng/cm2且小于等于0.1ng/cm2。本实施方式可以在最大限度地减少层叠体的性能变化，除去存在于层叠体的外表面或表面的颗粒等，有效地抑制曝光过程中产生的意料之外的雾度。
层叠制造方法

[发明专利]空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法-CN202211556081.4在审
发明人：李亨周;金圭勋;李乾坤;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法。根据本实施方式的空白掩模包括透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括第一遮光层和设置在所述第一遮光层上的第二遮光层。第二遮光层包括过渡金属、氧和氮中的至少一者。遮光膜的表面对波长为193nm的光的反射率大于等于20％且小于等于40％。第二遮光层的硬度大于等于0.3kPa且小于等于0.55kPa。在这种情况下，在对遮光膜的表面进行高灵敏度缺陷检测时，可以提高缺陷检测的准确性，并且可以有效抑制图案化过程中的颗粒的产生。
空白光掩模半导体元件制造方法

[发明专利]蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法-CN201910739342.8有效
发明人：黄成植;李在钒;吴浚禄;闵庚烈;金京仁;姜仲根 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法，包括：主体，由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成，主体顶面和主体底面隔开规定间隔，主体外径面为将主体顶面的外侧轮廓线和主体底面的外侧轮廓线相连接的面，主体内径面与主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部；及安置部，由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成，安置部顶面的外径直接连接到主体内径面且安置部顶面位于低于主体顶面的位置，安置部底面与安置部顶面隔开规定间隔且与主体底面连接，安置部内径面为将安置部顶面的内侧轮廓线和安置部底面的内侧轮廓线相连接的面。
蚀刻装置环形部件使用方法

[发明专利]空白掩膜用层叠体、其制造方法及空白掩模制造用层叠体-CN202211428437.6在审
发明人：金泰完;李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：提供一种空白掩模用层叠体及其制造方法，上述空白掩模用层叠体包括：透光层，以及相移膜，设置在上述透光层上；通过离子色谱法在上述相移膜表面测得的残留离子包含浓度为0ng/cm2以上且0.05ng/cm2以下的硫酸离子、浓度为0ng/cm2以上且0.5ng/cm2以下的氮氧化物离子及浓度为0ng/cm2以上且5ng/cm2以下的铵离子中的至少一种，上述残留离子浓度的总和超过0。
空白掩膜用层叠制造方法

[发明专利]半导体工艺用组合物及半导体工艺-CN201910161445.0有效
发明人：金炳秀;晋圭安;吴濬禄 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：提供一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由化学式1或化学式2表示的硅化合物的第二成分，还提供一种半导体工艺，包括使用上述半导体工艺用组合物选择性地清洁及/或者除去有机物或无机物的步骤。
半导体工艺组合

[发明专利]抛光垫和利用该抛光垫的半导体器件的制造方法-CN202211484677.8在审
发明人：任昶奎;徐章源;尹钟旭;尹晟勋 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：提供抛光垫和应用该抛光垫的半导体器件的制造方法，抛光垫是具备能够最大化漏水防止效果的结构特征的抛光垫，包括：抛光层，包括第一表面和第二表面，包括从第一表面贯通至第二表面的第一通孔；窗口，配置于第一通孔内；以及支撑层，配置于抛光层的第二表面侧，包括第三表面和第四表面，包括从第三表面贯通至第四表面同时与第一通孔连接的第二通孔，第二通孔小于第一通孔，窗口的最下端面由第三表面支撑，在窗口的最下端面和第三表面之间包括第一粘合层，在第二表面和第三表面之间以及窗口的最下端面和第三表面之间包括第二粘合层，在第二粘合层的一表面上包括屏障层，支撑层在与窗口的最下端面对应的区域包括压缩部。
抛光利用半导体器件制造方法

[发明专利]具有窗口的抛光焊盘及其制造方法-CN202211434520.4在审
发明人：许有真;姜贤求;金高恩;徐章源;尹晟勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司;SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光焊盘及其制造方法。所述抛光焊盘可以包括顶焊盘层和观察块。顶焊盘层可以包括形成在顶焊盘层的上表面上的沟槽图案。可以穿过顶焊盘层形成第一孔。观察块可以插置在第一孔中。顶焊盘层和观察块可以具有与以下公式1一致的结构。公式1在公式1中，间隙可以表示顶焊盘层的上表面与观察块的上表面之间的高度差，ThkRTPC可以表示观察块的厚度，Thkgrv可以表示沟槽图案的深度。
具有窗口抛光及其制造方法

[发明专利]抛光垫用组合物及抛光垫-CN202011149437.3有效
发明人：尹钟旭;徐章源;许惠暎;郑恩先 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明的组合物利用包括含硫的第一固化剂及含酯基的第二固化剂的固化剂混合物，可以控制根据需求的抛光垫的物性。具体地，通过在固化剂混合物中包括比第二固化剂的含量更多的第一固化剂来制得的抛光垫可以在CMP工艺中使半导体衬底的表面的划痕等缺陷的出现最小化，同时可以提供高抛光速率。另外，通过使固化剂混合物中的第二固化剂的含量等于或大于第一固化剂的含量，即使不使用4,4'‑亚甲基双(2‑氯苯胺)(MOCA)，也可以满足拉伸强度及模量等物性，还可以通过使根据高温下的温度变化的储能模量的降低率最小化来实现热稳定性，从而进一步可以进一步提升抛光稳定性。
抛光组合

[发明专利]空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法-CN202211312498.6在审
发明人：郑珉交;孙晟熏;金星润;李乾坤;崔石荣;李亨周;曹河铉;金泰完;金修衒;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的空白掩模包括透光基板及配置在所述透光基板上的多层遮光膜。多层遮光膜包括过渡金属、氧以及氮中的至少一种。多层遮光膜包括第一遮光膜和配置在所述第一遮光膜上的第二遮光膜。多层遮光膜包括通过以所述多层遮光膜的上表面为基准横向三等分且纵向三等分来形成的总共九个多层遮光膜部分。多层遮光膜的分别在总共九个多层遮光膜区域测定的粗糙度差值的平均值为3nm以下。在这种情况下，当实施增强清洗时，多层遮光膜能够在整个区域对清洗溶液具有优异的耐久性。
空白使用光掩模以及半导体元件制造方法

[发明专利]空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法-CN202211312497.1在审
发明人：孙晟熏;李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;金星润;郑珉交;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的空白掩模包括透光基板及配置在透光基板的多层遮光膜。多层遮光膜包括第一遮光膜和第二遮光膜。式1中的多层遮光膜的EA值为2nm2以下：[式1]EA＝(BC‑AC)/2。BC值是在清洗前测定的多层遮光膜的截面面积。AC值是将空白掩模在SC‑1溶液中浸渍800秒并用臭氧水冲洗后测定的多层遮光膜的截面面积。SC‑1溶液是包含14.3重量％的NH4OH、14.3重量％的H2O2及71.4重量％的H2O的溶液。臭氧水是超纯水为溶剂且含有20ppm臭氧的溶液。由此，能够进一步提高在增强清洗过程中多层遮光膜对清洗溶液的耐久性。
空白使用光掩模以及半导体元件制造方法

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物制备方法和使用抛光组合物的半导体元件的制备方法-CN202180053079.2在审
发明人：朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物和使用抛光组合物的半导体元件的制备方法，可提供一种制备方法，应用于非晶碳膜的CMP工艺，表现出高抛光率，并防止CMP工艺中的碳残留物再吸附至半导体基板，以及防止抛光垫的污染，并通过稳定化抛光组合物内的加速剂，使保存稳定性优异。另外，可提供使用半导体工艺用抛光组合物的半导体元件的制备方法。
半导体工艺抛光组合制备方法使用元件

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