“S.加内桑”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]集成电路封装结构-CN201680073920.3有效
发明人：姚计敏;S.加内桑;S.M.利夫;邓一康;D.马利克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本文中公开了集成电路（IC）封装结构以及相关的设备和方法。在一些实施例中，一种IC封装基板可以包括：具有第一面和第二面的介电层；设置在介电层的第一面处且具有第一面和第二面的金属层，其中该金属层的第二面被设置在该金属层的第一面和介电层的第二面之间；在金属层的第一面处的用来将IC封装基板耦合至部件的封装接触件；以及在金属层的第一面处的用来将管芯耦合至IC封装基板的管芯接触件。
集成电路封装结构

[发明专利]涡流管、通风系统和电梯-CN202110023281.2在审
发明人： R.戈帕拉克里什南;S.加内桑 -专利权人：通力股份公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： F24F7/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种涡流管(5)，包括设置有第一出口(7)的第一端(5a)；设置有第二出口(8)的第二端(5b)；第一端和第二端之间的涡流产生室(6a)；从涡流管(5)的一侧通向涡流产生室(6a)的进气口(9)；在涡流产生室(6a)和第一出口(7)之间的第一流动通道(6b)；在第一流动通道(6b)和第二出口(8)之间的第二流动通道(6c)。涡流管(5)包括一个或多个空气引导件(10，10’)，设置在涡流产生室(6a)下游的涡流管(5)内部，用于增加涡流产生室(6a)下游的气流的层流性，其中一个或多个所述空气引导件是包括多个开口(11，11’)的空气引导件，空气可以从开口中流过。本发明还涉及实现涡流管(5)的通风系统和电梯。
涡流通风系统电梯

[发明专利]多管芯超细节距片块架构和制造方法-CN202010219112.1在审
发明人： S.加内桑;K.麦卡菲;L.M.特里博莱特;D.马利克;R.V.马哈詹;R.L.桑克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：实施例包括半导体封装以及用于形成所述半导体封装的方法。一种半导体封装包括在玻璃片块之上的桥。所述桥利用粘合层而被耦合到所述玻璃片块。所述半导体封装还包括在所述桥和玻璃片块之上的高密度封装（HDP）基板。所述HDP基板利用多个模塑通孔（TMV）而被导电地耦合到玻璃片块。所述半导体封装此外包括在所述HDP基板之上的多个管芯，以及在所述TMV、桥、粘合层和玻璃片块之上的第一包封层。所述HDP基板包括多个导电互连，所述多个导电互连将所述管芯导电地耦合到所述桥和玻璃片块。所述桥可以是嵌入式多管芯互连桥（EMIB），其中所述EMIB被通信地耦合到所述管芯，并且所述玻璃片块包括多个玻璃通孔（TGV）。
管芯细节距片块架构制造方法

[发明专利]具有晶片级有源管芯和外部管芯底座的半导体封装-CN201680091229.8在审
发明人： V.V.梅塔;E.J.李;S.加内桑;D.马利克;R.L.桑克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：描述了具有硅晶片上的有源管芯和外部管芯底座的半导体封装和封装组件，以及制作这样的半导体封装和封装组件的方法。在示例中，半导体封装组件包括具有通过第一焊料凸块而附接到硅晶片的有源管芯的半导体封装。第二焊料凸块在硅晶片上从有源管芯横向向外以提供用于外部管芯的底座。环氧树脂层可以围绕有源管芯并且覆盖硅晶片。孔可以在第二焊料凸块上方贯穿环氧树脂层以通过该孔暴露第二焊料凸块。因此，外部存储器管芯可以通过该孔而直接连接到硅晶片上的第二焊料凸块。
焊料凸块硅晶片源管半导体封装外部管环氧树脂层封装组件芯底座半导体封装组件外部存储器晶片级管芯底座暴露贯穿覆盖制作

[发明专利]平坦集成电路封装互连-CN201780034003.9在审
发明人： R.L.桑克曼;S.加内桑 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本文一般讨论了包含大致共面的导电柱的设备、方法和系统。根据示例，一种技术能够包括：在衬底的相应暴露的接合衬垫上生成导电柱；将模制材料设置在所生成的导电柱周围和上面；同时移除模制材料和所生成的导电柱的一部分以使得所生成的导电柱和模制材料大致平坦；以及电气上将管芯耦合到导电柱。
导电柱模制材料平坦集成电路封装电气上将接合衬垫耦合到互连衬底管芯移除暴露

[发明专利]用于电力系统中的快速总线转换的方法和系统-CN201380051515.8有效
发明人： A.塔鲁里;G.拉德;R.拉德哈克里斯南;S.加内桑 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2013-10-01 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H02J3/08 文献下载
摘要：提供一种方法，用于利用智能电子装置（IED）通过使用电力系统中的第一子功率系统（100）和第二子功率系统（120）之间的至少一个开关装置（140，160）将第一子功率系统与第二子功率系统同步和连接。该方法包括IED监视供电参数，如电压量值（310，320）、相位（325）和如第一子功率系统和第二子功率系统中的电压和相位差的其他导出参数以识别其中两个子系统具有可接受的量值和相位之差的快速总线转换的至少一个情况。根据识别的一个情况，IED使相移或/和电压量值校正得以执行以期在识别的情况下连接时将供电同步。操作该开关装置（130，160）以在识别的情况下执行连接以进行高效且快速的总线转换。还提供一种同步系统。
用于电力系统中的快速总线转换方法系统