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[发明专利]字线或立柱状态检测以实现更快读取存取时间-CN202211657120.X在审
发明人： V·莫斯基亚诺;S·S·瑞胡那森;W·迪·弗朗西斯可 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本公开是针对字线或立柱状态检测以实现更快读取存取时间。存储器装置包含配置成子块的存储器胞元阵列。子块的存储器胞元耦合到所述阵列的立柱，且与多个字线相关联。为执行读取操作，与所述阵列耦合的控制逻辑执行操作，所述操作包含：跟踪选定字线在能够从与所述选定字线相关联的存储器胞元读取数据之前达到通过电压所花费的时间长度；响应于所述时间长度满足第一阈值准则，致使在读取所述数据之前经过第一延迟时间；及响应于所述时间长度满足比所述第一阈值准则长的第二阈值准则，致使在读取所述数据之前经过第二延迟时间，所述第二延迟时间比所述第一延迟时间长。
立柱状态检测实现读取存取时间

[发明专利]存储器装置中的部分块擦除操作-CN202210729702.8在审
发明人： V·莫斯基亚诺;S·S·瑞胡那森;陈海欧;W·迪·弗朗西斯可 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：描述了用于执行部分块擦除操作的系统和方法。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线的多个存储器单元；以及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：在存储器装置中识别包括多个存储器单元的块；在所述块中估计具有预定义编程状态的页的数目；基于具有所述预定义编程状态的页的所述数目而确定待应用于所述块的擦除验证电压；致使相对于所述块执行擦除操作；以及致使使用所述擦除验证电压来相对于所述块执行擦除验证操作。
存储器装置中的部分擦除操作

[发明专利]将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处-CN202210429938.X在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;G·普齐利;V·P·拉亚普鲁;A·马尔谢;J·菲兹帕特里克;S·S·瑞胡那森;V·莫斯基亚诺;T·吉拉尔迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请案涉及将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处。存储器装置的高读取数据管理器接收在存储器装置的多个字线中的第一字线上执行数据重定位操作的请求，所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，其中每一多电平存储器单元包括多个页面；确定所述第一字线包括存储在所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面处的数据；确定所述数据是否包括满足与存储在所述多个字线中的额外字线上的额外数据有关的阈值准则的特性；响应于确定所述数据包括满足所述阈值准则的所述特性，识别用于重定位所述数据的目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及响应于识别所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面，将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。
读取数据存储存储器装置影响干扰页面